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qflxl新蟲 (小有名氣)
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[求助]
MOSFET為什么用si不用ge
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| 說出原因?qū)Ρ取? |
新蟲 (初入文壇)
木蟲 (正式寫手)
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有幾個(gè)原因吧。1 ge的能帶比si小,所以柵極的漏電會(huì)比si大,所以從功耗和性能來說沒有si好。2 柵介質(zhì)問題。si有天然的柵介質(zhì)sio2,形成簡(jiǎn)單,且質(zhì)量很好,ge的氧化物很不穩(wěn)定,一般不能作為柵介質(zhì),且用其他介電材料會(huì)引入很多的界面態(tài),影響閾值電壓等。還有就是ge材料本身很脆,且不能像si那樣做到12英寸那么大,現(xiàn)在好像最大就4英寸吧,而且很貴。 不過現(xiàn)在由于微電子進(jìn)去納米節(jié)點(diǎn)后,由于si的空穴遷移率小,對(duì)ge和gesi合金的研究有大幅增加。樓主可以去查查文獻(xiàn)便知哈 [ 發(fā)自手機(jī)版 http://www.gaoyang168.com/3g ] |

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