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2樓2013-04-16 23:11:55
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【答案】應(yīng)助回帖
★ ★ ★ ★ ★
感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
qflxl: 金幣+5, ★★★很有幫助 2013-04-25 09:21:41
感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
qflxl: 金幣+5, ★★★很有幫助 2013-04-25 09:21:41
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有幾個(gè)原因吧。1 ge的能帶比si小，所以柵極的漏電會比si大，所以從功耗和性能來說沒有si好。2 柵介質(zhì)問題。si有天然的柵介質(zhì)sio2，形成簡單，且質(zhì)量很好，ge的氧化物很不穩(wěn)定，一般不能作為柵介質(zhì)，且用其他介電材料會引入很多的界面態(tài)，影響閾值電壓等。還有就是ge材料本身很脆，且不能像si那樣做到12英寸那么大，現(xiàn)在好像最大就4英寸吧，而且很貴。 不過現(xiàn)在由于微電子進(jìn)去納米節(jié)點(diǎn)后，由于si的空穴遷移率小，對ge和gesi合金的研究有大幅增加。樓主可以去查查文獻(xiàn)便知哈 [ 發(fā)自手機(jī)版 http://www.gaoyang168.com/3g ] |
3樓2013-04-19 09:40:55
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