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[求助]
半導(dǎo)體摻雜后的帶隙如何看，求教
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各位大俠 我想知道半導(dǎo)體低濃度摻雜后 （大概0.03%），在費(fèi)米能級(jí)處出現(xiàn)雜質(zhì)能帶 這個(gè)時(shí)候 我對(duì)它的帶隙該如何判斷呢？ 我想知道這種摻雜對(duì)帶隙的影響 謝謝 |
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【答案】應(yīng)助回帖
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感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
lzlgcdc: 金幣+2, ★★★很有幫助, 謝謝大俠 2013-05-07 09:42:56
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帶隙是導(dǎo)帶底-價(jià)帶頂，這個(gè)在計(jì)算的時(shí)候能帶結(jié)構(gòu)圖會(huì)給出，還有就是上面有同學(xué)說的費(fèi)米能級(jí)的移動(dòng)，體材料時(shí)費(fèi)米能級(jí)在帶隙中，但是摻雜后費(fèi)米能級(jí)可能移動(dòng)到導(dǎo)帶，導(dǎo)帶電子數(shù)目增多，導(dǎo)電性就會(huì)增強(qiáng)。估計(jì)是這樣吧！ 下面我想問一下，關(guān)于半導(dǎo)體摻雜的問題： 1、摻雜濃度的確定是通過超晶胞確定的，如果替換某原子，就用替換個(gè)數(shù)比此原子總數(shù)，得出濃度。是嗎？那這個(gè)千分之三要好大的一個(gè)晶胞，我的計(jì)算機(jī)算到2*2*2就老出錯(cuò)，不知您是怎么解決的。 2、摻雜半導(dǎo)體計(jì)算時(shí)，對(duì)話框中選擇的metal，是嗎？優(yōu)化過程中是先優(yōu)化1*1*1，再擴(kuò)展為2*2*2，還是直接優(yōu)化2*2*2？ 3、由于第一性原理的的計(jì)算時(shí)基于周期性邊界條件的，摻雜要保證滿足初始條件必須建立超晶胞，那摻雜離子該放在什么位置？一般情況下大多放在中心，有些文獻(xiàn)嘗試過不同位置的雙摻雜，用的是不同位置，我照著人家的做會(huì)出錯(cuò)，無法進(jìn)行，是模型不合理嗎？怎樣判斷其合理性？ |
10樓2013-05-07 09:15:12
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