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[交流]
氬氣用于等離子刻蝕、等離子清洗，離子束刻蝕的比較
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我想各位同志一定用過等離子刻蝕、等離子清洗和離子束刻蝕，或者其中的某一個(gè)，這三個(gè)儀器都可以用氬氣作為氣體源。所以，我很想知道，這三個(gè)有什么區(qū)別，都各自用在什么地方，怎么更好的利用這三個(gè)儀器。 請(qǐng)走過路過的朋友們都說說自己用的儀器以及對(duì)儀器的認(rèn)識(shí)哈。 |
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11樓2014-04-18 19:30:14
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hello_Jzz(金幣+1): 謝謝參與
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等離子體刻蝕根據(jù)工作氣體成分與樣品是否作用分為物理濺射刻蝕，化學(xué)反應(yīng)刻蝕和離子輔助刻蝕三類，由于你用的氬氣為惰性氣體，難以與其他材料發(fā)生反應(yīng)，因此主要是一種物理濺射刻蝕，高能離子或者原子與樣品表面碰撞，樣品表面結(jié)構(gòu)將會(huì)被破壞，樣品材料的原子將會(huì)從樣品表面脫附離開。等離子體刻蝕主要用于拋光或者圖形化，這個(gè)主要利用的是等離子體中的離子或者一些活性基團(tuán)，對(duì)材料的作用具有一定深度。一般的，拋光的話，對(duì)粒子的能量和密度要求可能相對(duì)較高，而圖形化則相對(duì)較低，但是其對(duì)粒子的能量和密度的控制要求可能更高，這個(gè)得看具體的材料，如金剛石膜的圖形化與硅片的圖形化就不一樣。 等離子體清洗的話，主要是通過等離子體處理樣品的表面，這個(gè)作用程度相對(duì)要弱一點(diǎn)，對(duì)粒子的能量和密度要求相對(duì)不是很高，主要是為了清理樣品表面的污染物或者吸附的其他雜質(zhì)。 而離子束刻蝕的話，其實(shí)很多離子源都是基于等離子體源開發(fā)出來的，所以很多文獻(xiàn)都將兩者混同，只不過每個(gè)人的叫法不同而已，刻蝕對(duì)象大部分相同。 |
6樓2013-06-07 11:43:01
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13樓2014-04-19 17:45:20
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2樓2013-06-04 01:54:23
3樓2013-06-04 10:33:12
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hello_Jzz(金幣+1): 謝謝參與
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4樓2013-06-06 10:52:01
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5樓2013-06-07 01:48:47
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各位回答的都很好，我也自己去調(diào)研了一下，得到了如下的結(jié)論，和大家一起分享。 一般的刻蝕方法有：反應(yīng)離子刻蝕RIE，等離子體清洗、刻蝕PE，離子束刻蝕IBE。反應(yīng)離子刻蝕，顧名思義，就是利用活性氣體通過四個(gè)過程進(jìn)行樣品表面加工，物理濺射、離子反應(yīng)、產(chǎn)生自由基、自由基反應(yīng)。所以RIE可以簡(jiǎn)單的歸納為離子轟擊輔助的化學(xué)反應(yīng)過程。主要控制的參量有反應(yīng)氣體流速、放電功率、反應(yīng)室氣壓、樣品材料表面溫度等。 等離子體清洗、刻蝕Plasma Etching，主要是化學(xué)刻蝕，因?yàn)闃悠肥欠旁陉枠O表面的，而清洗和刻蝕的區(qū)別，主要是看陽極板的大小，陽極板大的，用于清洗，陽極板小的用于刻蝕；參數(shù)桐RIE類似。 最后的離子束刻蝕是一個(gè)純粹的物理刻蝕過程，一般的氣體源都是惰性氣體，就是用惰性離子去轟擊樣品表面，值得注意的是，IBE對(duì)金屬、光刻膠等的刻蝕速率都很高。不過適當(dāng)選擇離子能量和束流還是可以得到期望的結(jié)果的。 |
7樓2013-06-07 12:50:50
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haixiawu9樓
2013-06-14 00:49
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