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有哪位大神解釋下RRAM測試IV過程中的軟擊穿的問題 為什么要進行軟擊穿？ 已有4人參與
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| 有哪位大神解釋下RRAM測試IV過程中的軟擊穿的問題 為什么要進行軟擊穿？ |
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3樓2013-06-21 22:56:20
wu1008
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2樓2013-06-21 00:49:21
BingnanShi
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小木蟲: 金幣+0.5, 給個紅包，謝謝回帖
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這和RRAM高低阻態(tài)轉(zhuǎn)變機制有關(guān)。 目前比較廣泛接受的想法是conductive filament (CF) 導電通道。 對于TiN/Ti/HfO2/TiN結(jié)構(gòu)： 首先，一個氧在電場作用下從阻變層（比如HfO2）中遷移到氧庫（原文中用的是oxygen reservoir，因為看的文獻都是英文的，所以我也不知道怎么翻譯好，但是意思明白就好，暫且叫”氧庫“）(比如Ti)，這樣就在阻變層形成一個氧空位。空位積累后在上下電極間形成導電通道。形成導電通道就從HRS（高阻態(tài)）轉(zhuǎn)到了LRS（低阻態(tài)），從這個就是您說的dielectric soft breakdown軟擊穿。 然后，加另一電壓（方向看器件是Unipolar還是Bipolar），氧從氧庫里遷移回去了，氧空位消失，導電通道切斷，這樣就從LRS轉(zhuǎn)到HRS。 要想再轉(zhuǎn)回HRS就要加偏壓，促使氧遷移，形成空位，導電通道接通。 所以按照這個機制來說，dielectric soft breakdown正是阻態(tài)變化的過程。 有說錯的地方請批評指正  P.s.:我也對RRAM很感興趣，希望多交流 |
4樓2014-10-18 02:25:36
bad忠
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5樓2017-02-06 16:52:11
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