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北京石油化工學(xué)院2026年研究生招生接收調(diào)劑公告

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王全龍ciomp

木蟲 (著名寫手)

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[求助] 求助濕法腐蝕二氧化硅邊緣不光滑求大家分析下原因有圖

主要工藝：1、清洗硅片。 2、120度2min烘干。 3、涂HMDS 3000rpm 40s。 4、勻膠 AZ701 3500rpm 50s （1um左右）。5、前烘95度1min熱板。6、曝光 EVG620。7、顯影 AZ300mif 浸泡在燒杯里。8、堅(jiān)膜110度2min。9、HF緩沖液腐蝕速率大約80nm/min 腐蝕20多分鐘。腐蝕完結(jié)果如圖一個(gè)直徑200um圓盤邊緣總是不光滑有溝槽，該怎么辦大家?guī)臀蚁胂朕k法，先謝謝了。

腐蝕完14.jpg

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1樓 2013-06-25 21:27:42

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王全龍ciomp

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6樓: Originally posted by damuchongzi at 2013-06-28 15:34:27
上面兩位說(shuō)得感覺都沒說(shuō)到點(diǎn)子上。~1.6um的氧化層用1um膠掩模且腐蝕20多分鐘（沒有多次堅(jiān)膜？），看你的圖片氧化硅腐蝕鉆蝕效果幾乎沒有，說(shuō)明你腐蝕之前的各項(xiàng)的準(zhǔn)備控制的很好，氧化層質(zhì)量也不錯(cuò)。（順便問(wèn)一下你 ...

我再傳一張腐蝕完木有去膠的照片可以看到鉆蝕效果，透明的大圓是膠里面深色的小圓是二氧化硅，我感覺就是鉆蝕不均勻出現(xiàn)溝槽了，麻煩你再幫我分析一下

腐蝕完0.JPG

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8樓2013-06-28 21:32:11

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正常現(xiàn)象。厚的氧化層，建議用干刻完成，濕法是避免不了缺陷的。

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2樓2013-06-26 23:23:24

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2樓: Originally posted by yswyx at 2013-06-26 23:23:24
正�，F(xiàn)象。厚的氧化層，建議用干刻完成，濕法是避免不了缺陷的。

看到別人用濕法能做的很光滑啊，干刻能刻光滑不，是用ICP嗎

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3樓2013-06-27 21:23:24

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3樓: Originally posted by 王全龍ciomp at 2013-06-27 21:23:24
看到別人用濕法能做的很光滑啊，干刻能刻光滑不，是用ICP嗎...

濕法是能做很光滑啊，但是需要運(yùn)氣。硅片的質(zhì)量，氧化層的質(zhì)量，光刻的質(zhì)量，因素多的很。

干刻是光滑的，用ICP。如果不在乎斜坡，可以用離子束刻蝕。

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4樓2013-06-27 23:03:13

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jason011

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5樓2013-06-28 00:20:44

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damuchongzi

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上面兩位說(shuō)得感覺都沒說(shuō)到點(diǎn)子上。~1.6um的氧化層用1um膠掩模且腐蝕20多分鐘（沒有多次堅(jiān)膜？），看你的圖片氧化硅腐蝕鉆蝕效果幾乎沒有，說(shuō)明你腐蝕之前的各項(xiàng)的準(zhǔn)備控制的很好，氧化層質(zhì)量也不錯(cuò)。（順便問(wèn)一下你的氧化層是LPCVD做的還是PECVD做的，做致密了嗎）�？梢宰⒁庖幌乱韵�2個(gè)方面：
1）在腐蝕之前O2等離子體掃一下底膜同時(shí)激活暴露的氧化硅表面。
2）BHF是用的什么樣的容器，最好用大的容器。如果較小且沒有攪拌，BHF中的氟化氨很容易結(jié)晶并附著造成腐蝕缺陷。

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6樓2013-06-28 15:34:27

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你好！1）我只在顯影后做了一次堅(jiān)膜，你說(shuō)的多次堅(jiān)膜是指在腐蝕過(guò)程中取出硅片再做堅(jiān)膜嗎？2）圓盤用作光學(xué)諧振器光在邊緣傳播所以邊緣越光滑越好，我做了幾次總是出現(xiàn)這樣的溝槽。3）氧化層是用濕氧氧化生長(zhǎng)的質(zhì)量應(yīng)該不錯(cuò)。4）腐蝕之前O2等離子體打會(huì)把膠打掉嗎？功率多少瓦合適。5）用的燒杯比硅片大很多，通過(guò)觀察沒有發(fā)現(xiàn)氟化銨結(jié)晶。

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7樓2013-06-28 21:23:04

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4樓: Originally posted by yswyx at 2013-06-27 23:03:13
濕法是能做很光滑啊，但是需要運(yùn)氣。硅片的質(zhì)量，氧化層的質(zhì)量，光刻的質(zhì)量，因素多的很。

干刻是光滑的，用ICP。如果不在乎斜坡，可以用離子束刻蝕。...

你說(shuō)的這幾個(gè)因素確實(shí)都會(huì)影響到最終結(jié)果。1）我知道我們實(shí)驗(yàn)室ICP刻硅是刻蝕--鈍化--刻蝕這么一個(gè)循環(huán)過(guò)程，其實(shí)刻出來(lái)粗糙度要比濕刻差，我不知道刻蝕氧化硅是否也是這么一個(gè)循環(huán)過(guò)程。2）另外干法刻硅用什么氣體能做到比較光滑，我做一個(gè)微米的光刻膠能掩的住嗎？
3)有斜坡沒事，只要光滑就行，離子束刻蝕能光滑嗎？

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9樓2013-06-28 21:48:04

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5樓: Originally posted by jason011 at 2013-06-28 00:20:44
邊緣溝槽主要原因如下：
1）硅片邊緣本身就溝槽，這個(gè)在做氧化之前可以在顯微鏡底下看一下硅片的邊緣。
2）濕法刻蝕掩膜有問(wèn)題，導(dǎo)致二氧化硅被腐蝕。

3）如果產(chǎn)品圖形單元不在硅片邊緣可以不用考慮這個(gè)問(wèn)題。 ...

1）可能我說(shuō)的不是很清楚，我的意思是直徑200um二氧化硅圓盤上的溝槽，和硅片邊緣不是一回事。
2）應(yīng)該就是掩膜的問(wèn)題，關(guān)鍵在于我怎么解決這個(gè)問(wèn)題
4）腐蝕液應(yīng)該木有問(wèn)題我買的美國(guó)進(jìn)口的腐蝕液質(zhì)量應(yīng)該還可以，600nm的氧化層我現(xiàn)在做的不錯(cuò)了，現(xiàn)在要做更厚的出現(xiàn)了這個(gè)問(wèn)題。
照片是我做的600nm的氧化硅圓盤感覺還可以。

sio2_m005.JPG

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10樓2013-06-28 21:55:22

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