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王致遠(yuǎn)金蟲 (著名寫手)
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[求助]
求助 ZnO 薄膜器件（TFT）的IV測(cè)試 已有3人參與
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本人最近在做ZnO/SiO2/n-type-Si 的TFT結(jié)構(gòu)，想做其IV測(cè)試，但是效果一直不理想。希望有了解的人給予幫助。 我的樣品為100nmZnO，100nmSiO2，n-type Si（電阻率2.3-4.3Ω·cm），在ZnO表面做了兩個(gè)金（Au)電極，電極間距為2mm，電極寬度為5mm。在Si襯底上用銀膠連接了銅引線(如圖1）。 我測(cè)試的問題主要有兩點(diǎn)：第一點(diǎn)，我的實(shí)驗(yàn)Ids 一般mA量級(jí)，然而文獻(xiàn)中的多為uA量級(jí)，比我的小多了。第二點(diǎn)，文獻(xiàn)中的Vgs加一定的電壓時(shí)，在Vds=10V左右就出現(xiàn)了飽和。但是我的測(cè)試一直沒有測(cè)試出飽和區(qū)。 圖2-圖5是從不同文章中截的圖。 期待做過相關(guān)測(cè)試的同學(xué)給予幫助。 1.jpg 2.jpg 3.jpg 4.jpg 5.jpg |
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【答案】應(yīng)助回帖
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感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
王致遠(yuǎn): 金幣+2, ★★★很有幫助 2013-07-16 20:04:43
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王致遠(yuǎn): 金幣+2, ★★★很有幫助 2013-07-16 20:04:43
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比較粗糙的說，源漏電流大小和你電極的大小有關(guān)系。文獻(xiàn)的電流小，可能電極也比你小得多。這個(gè)不是問題的主因。你的器件制備尺寸也太大了，換一個(gè)小一點(diǎn)的模版吧。一般來說，膜越大，缺陷問題也就越多，性質(zhì)也差。 看你的圖，這個(gè)就是導(dǎo)電了啊，場(chǎng)效應(yīng)完全沒有出來。100nm的氧化硅如果是熱氧化的話，30或者40V的電壓應(yīng)當(dāng)是沒有問題的。 首先，檢查一下本身你的測(cè)試儀器沒有問題，有沒有短路或者接錯(cuò)，可以測(cè)試一個(gè)保證沒有問題的器件作參考。 其次，把器件單獨(dú)劃開，這樣可以減小漏電流。直接用探針劃開就可以。 |
7樓2013-07-16 19:13:52
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