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王致遠(yuǎn)金蟲 (著名寫手)
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[求助]
求助 ZnO 薄膜器件（TFT）的IV測(cè)試 已有3人參與
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本人最近在做ZnO/SiO2/n-type-Si 的TFT結(jié)構(gòu)，想做其IV測(cè)試，但是效果一直不理想。希望有了解的人給予幫助。 我的樣品為100nmZnO，100nmSiO2，n-type Si（電阻率2.3-4.3Ω·cm），在ZnO表面做了兩個(gè)金（Au)電極，電極間距為2mm，電極寬度為5mm。在Si襯底上用銀膠連接了銅引線(如圖1）。 我測(cè)試的問(wèn)題主要有兩點(diǎn)：第一點(diǎn)，我的實(shí)驗(yàn)Ids 一般mA量級(jí)，然而文獻(xiàn)中的多為uA量級(jí)，比我的小多了。第二點(diǎn)，文獻(xiàn)中的Vgs加一定的電壓時(shí)，在Vds=10V左右就出現(xiàn)了飽和。但是我的測(cè)試一直沒(méi)有測(cè)試出飽和區(qū)。 圖2-圖5是從不同文章中截的圖。 期待做過(guò)相關(guān)測(cè)試的同學(xué)給予幫助。 1.jpg 2.jpg 3.jpg 4.jpg 5.jpg |
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wiseroy
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4樓2013-07-15 22:31:23
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