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young_scu新蟲 (初入文壇)
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[求助]
本征多晶硅是N型的還是P型的？ 已有1人參與
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希望結(jié)合理論解釋一下：如晶格缺陷、界面等。 制備方法是PECVD反應(yīng)形成非晶硅，然后利用準分子激光退火制得多晶硅。 |
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【答案】應(yīng)助回帖
感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
 這個說話應(yīng)該是不正確的，本征材料一般都是指純凈材料，N型或者P型都是被摻雜的，是非本征。現(xiàn)在搞多晶硅 非晶硅 準單晶的那么多，摻雜的基本沒有聽說，不過國內(nèi)做單晶N型的倒是有點突破。不過國內(nèi)的材料不管說得多牛，產(chǎn)業(yè)化的電子級的硅都基本沒有，這個和臺灣比我們都有很大的差距。 晶體缺陷：可以分為點缺陷（零維）、線缺陷（一維）和面缺陷（二維）三大類。點缺陷主要構(gòu)形是空位、填隙原子、雜質(zhì)原子等；線缺陷主要是指位錯；面缺陷是指晶粒間界、孿晶界。 界面····這個要問你問的是什么界面了 生長界面？ |
2樓2013-08-21 08:06:44
young_scu
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3樓2013-08-21 09:06:19
young_scu
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4樓2013-08-21 09:13:28
tom773
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5樓2013-10-07 10:35:26
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6樓2014-01-17 08:27:49
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7樓2014-01-17 08:30:41
8樓2016-12-28 13:47:59
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