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小木蟲論壇-學術科研互動平臺 » 材料區(qū) » 材料綜合 » 材料物理 » 關于應變硅工藝上的問題。
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關于應變硅工藝上的問題。
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“應變硅可通過在硅表面生長硅鍺材料實現(xiàn)、隨鍺濃度增加的梯度SiGe可以生長在硅表面而沒有大的晶格失配。當馳豫的SiGe層淀積后，外延生長一層硅層，這層硅晶格結構與下方SiGe層相同、形成應變硅層”——《半導體工藝制造導論（蕭宏）》第二版第83頁、電子工業(yè)出版社。 求問：1、為什么要生長不同Ge濃度的SiGe層？什么叫馳豫？google后發(fā)現(xiàn)wikipedia里面介紹的核磁共振的概念。 2、施加應力的時候、發(fā)生晶格變化的是上下硅層、還是中間的SiGe梯度變化層？我猜是后者、但不知道為什么。 謝謝！ |
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wgl2003
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【答案】應助回帖
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感謝參與，應助指數(shù) +1
chen2b: 金幣+14, ★★★很有幫助 2013-10-13 08:55:12
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chen2b: 金幣+14, ★★★很有幫助 2013-10-13 08:55:12
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求問：1、為什么要生長不同Ge濃度的SiGe層？什么叫馳豫？google后發(fā)現(xiàn)wikipedia里面介紹的核磁共振的概念。 生長不同濃度的Ge是為了得到生長質量好的SiGe應變層，因為在Si和SiGe接觸的表面處為晶格失配最嚴重的地方，想象一下，如果在一個有限的空間里，下面是小球，如果你塞入更多的大球，小球受到的擠壓會很大，如果超出空間的限制，小球不受空間的束縛，超出它的排列規(guī)則，回到不受擠壓的狀態(tài)，可稱之為弛豫，也就是strain relax。所以在有時候要得到高Ge組分的SiGe，前面必須要有SiGe濃度漸變層或者稱之為緩沖層，避免濃度過大，應變釋放，所謂的核磁共振是從晶格振動理論來解釋的。 2、施加應力的時候、發(fā)生晶格變化的是上下硅層、還是中間的SiGe梯度變化層？我猜是后者、但不知道為什么。 施加外部應力的時候，只要有不同的Ge含量，都會有晶格的變化，這里的變化有正向的，也有負向的，取決于你加了多少的Ge，和你的工藝條件 以上是我的拙見，供參考討論 |
2樓2013-10-12 09:08:38
3樓2013-10-13 09:19:57
wgl2003
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5樓2013-10-14 09:36:32
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