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chen2b新蟲 (初入文壇)
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[求助]
關(guān)于應(yīng)變硅工藝上的問題。
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“應(yīng)變硅可通過在硅表面生長(zhǎng)硅鍺材料實(shí)現(xiàn)、隨鍺濃度增加的梯度SiGe可以生長(zhǎng)在硅表面而沒有大的晶格失配。當(dāng)馳豫的SiGe層淀積后，外延生長(zhǎng)一層硅層，這層硅晶格結(jié)構(gòu)與下方SiGe層相同、形成應(yīng)變硅層”——《半導(dǎo)體工藝制造導(dǎo)論（蕭宏）》第二版第83頁(yè)、電子工業(yè)出版社。 求問：1、為什么要生長(zhǎng)不同Ge濃度的SiGe層？什么叫馳豫？google后發(fā)現(xiàn)wikipedia里面介紹的核磁共振的概念。 2、施加應(yīng)力的時(shí)候、發(fā)生晶格變化的是上下硅層、還是中間的SiGe梯度變化層？我猜是后者、但不知道為什么。 謝謝！ |
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chen2b
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3樓2013-10-13 09:19:57
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【答案】應(yīng)助回帖
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感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
chen2b: 金幣+14, ★★★很有幫助 2013-10-13 08:55:12
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chen2b: 金幣+14, ★★★很有幫助 2013-10-13 08:55:12
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求問：1、為什么要生長(zhǎng)不同Ge濃度的SiGe層？什么叫馳豫？google后發(fā)現(xiàn)wikipedia里面介紹的核磁共振的概念。 生長(zhǎng)不同濃度的Ge是為了得到生長(zhǎng)質(zhì)量好的SiGe應(yīng)變層，因?yàn)樵赟i和SiGe接觸的表面處為晶格失配最嚴(yán)重的地方，想象一下，如果在一個(gè)有限的空間里，下面是小球，如果你塞入更多的大球，小球受到的擠壓會(huì)很大，如果超出空間的限制，小球不受空間的束縛，超出它的排列規(guī)則，回到不受擠壓的狀態(tài)，可稱之為弛豫，也就是strain relax。所以在有時(shí)候要得到高Ge組分的SiGe，前面必須要有SiGe濃度漸變層或者稱之為緩沖層，避免濃度過大，應(yīng)變釋放，所謂的核磁共振是從晶格振動(dòng)理論來解釋的。 2、施加應(yīng)力的時(shí)候、發(fā)生晶格變化的是上下硅層、還是中間的SiGe梯度變化層？我猜是后者、但不知道為什么。 施加外部應(yīng)力的時(shí)候，只要有不同的Ge含量，都會(huì)有晶格的變化，這里的變化有正向的，也有負(fù)向的，取決于你加了多少的Ge，和你的工藝條件 以上是我的拙見，供參考討論 |
2樓2013-10-12 09:08:38
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4樓2013-10-13 10:08:10
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5樓2013-10-14 09:36:32
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