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太原Neo木蟲 (正式寫手)
金融統(tǒng)計(jì)建模
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[求助]
間接帶隙半導(dǎo)體 能量差 紫外吸收 已有1人參與
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看文獻(xiàn)看到如下內(nèi)容： A very well-defined excitation peak can be seen at 310 nm, and an emission peak at 420 nm, where the large energy discrepancy suggests that the particles behave as an indirect bandgap semiconductor material (UV-visible absorption measurements exhibit a largely featureless profile that is also consistent with indirect-bandgap semiconductor nanoparticles, Supporting Information, Figure S3). 1. 420nm與310nm對應(yīng)的能量差（energy discrepancy）1242.375/(420-310)，約為11.3ev，比較大，所以是間接帶隙半導(dǎo)體。請問：energy discrepancy一般在哪個(gè)范圍，就可以認(rèn)為large，從而認(rèn)為材料是間接帶隙半導(dǎo)體。 2. 間接帶隙半導(dǎo)體材料的UV-vis譜是沒明顯吸收峰的（largely featureless profile）。請問：這個(gè)觀點(diǎn)有沒有出處？  [ 來自小組 Solar Cells 之家 ] |
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