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[交流]
【請教】關(guān)于Si基底的清洗
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我想問大家,在制膜時(shí)用Si做基底,應(yīng)該怎么清洗Si基底才能做得萬無一失啊,真誠的謝謝。! [ Last edited by FLY_Phoenix on 2008-5-25 at 00:58 ] |
銅蟲 (初入文壇)
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這是我們實(shí)驗(yàn)室一畢業(yè)師姐論文里關(guān)于清洗Si基片的介紹,不過據(jù)說她沒這么做,現(xiàn)在一師姐也不這么做,可是我老師要我盡量按照規(guī)范做,我基本尊送了此過程,除了最后一步?jīng)]用N2吹干,二十放到酒精中待用,基片最好是用前再清洗。 (1) 首先將基底放在燒杯里,要使基底的正面朝上,以防在超聲清洗過程中與燒杯底部摩擦,加入適量的CCl4浸泡,并在超聲波中超聲10min,以除去表面的油脂。取出基底后, 用去離子水沖洗; (2) 再將基底放入另一個(gè)燒杯中,加入適量丙酮,超聲10min,以除去剩余的油脂,然后取出基底,用去離子水沖洗; (3) 將基底放在另一個(gè)裝有適量乙醇的燒杯中超聲10min,以除去基底表面的CCl4和丙酮,然后用去離子水沖洗; (4) 將基底在80℃的 (NH4OH: H2O2: H2O=1:1:5) 溶液中放置10min,取出后,用去離子水洗凈,在0.5%HF中放置5min,以除去表面的氧化物,并用去離子水洗凈; (5) 再將基底在80℃的 (HCl: H2O2: H2O=1:1:5) 溶液中浸泡10min,取出后,用去離子水洗凈,在1%HF中放置5min,以徹底除去表面的氧化物,并用去離子水洗凈; (6) 最后將洗好的Si(100)基底用N2吹干后,放入真空室中備用。 |
木蟲 (正式寫手)
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