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[交流]
【請教】關(guān)于Si基底的清洗
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我想問大家，在制膜時用Si做基底，應(yīng)該怎么清洗Si基底才能做得萬無一失啊，真誠的謝謝！�。� [ Last edited by FLY_Phoenix on 2008-5-25 at 00:58 ] |
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2樓2007-12-17 22:10:16
wangfang198502
銅蟲 (初入文壇)
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- 專業(yè): 材料物理化學/薄膜
★ ★
FLY_Phoenix(金幣+2,VIP+0):謝謝，辛苦了
FLY_Phoenix(金幣+2,VIP+0):謝謝，辛苦了
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這是我們實驗室一畢業(yè)師姐論文里關(guān)于清洗Si基片的介紹，不過據(jù)說她沒這么做，現(xiàn)在一師姐也不這么做，可是我老師要我盡量按照規(guī)范做，我基本尊送了此過程，除了最后一步?jīng)]用N2吹干，二十放到酒精中待用，基片最好是用前再清洗。 (1) 首先將基底放在燒杯里，要使基底的正面朝上，以防在超聲清洗過程中與燒杯底部摩擦，加入適量的CCl4浸泡，并在超聲波中超聲10min，以除去表面的油脂。取出基底后， 用去離子水沖洗； (2) 再將基底放入另一個燒杯中，加入適量丙酮，超聲10min，以除去剩余的油脂，然后取出基底，用去離子水沖洗； (3) 將基底放在另一個裝有適量乙醇的燒杯中超聲10min，以除去基底表面的CCl4和丙酮，然后用去離子水沖洗； (4) 將基底在80℃的 (NH4OH: H2O2: H2O=1:1:5) 溶液中放置10min，取出后，用去離子水洗凈，在0.5%HF中放置5min，以除去表面的氧化物，并用去離子水洗凈； (5) 再將基底在80℃的 (HCl: H2O2: H2O=1:1:5) 溶液中浸泡10min，取出后，用去離子水洗凈，在1%HF中放置5min，以徹底除去表面的氧化物，并用去離子水洗凈； (6) 最后將洗好的Si(100)基底用N2吹干后，放入真空室中備用。 |
3樓2007-12-18 02:00:54
bluesky238
木蟲 (正式寫手)
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4樓2008-05-24 15:56:30
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