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Nano-mse金蟲 (小有名氣)
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I-V 曲線 和 C-V 曲線 之間有什么區(qū)別？
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各位好，我想咨詢一下I-V curve 和 C-V curve 之間在測(cè)試目的和測(cè)試方法上有什么區(qū)別？ 如果我已經(jīng)在FTO玻璃上生長(zhǎng)了一種半導(dǎo)體材料，有電化學(xué)工作站、Pt電極、Ag/AgCl 電極，那么如果想進(jìn)行以上兩種測(cè)試，具體該如何進(jìn)行呢？ PS: 我的理解是，測(cè)I-V曲線的話，直接把電化學(xué)工作站的probe分別接在FTO兩端，直接測(cè)即可，是這樣嗎？ 對(duì)于C-V曲線，則需要把FTO和Pt電極分別連接到電化學(xué)工作站，再置于電解液中，然后測(cè)量？如果這個(gè)是對(duì)的，那么Ag/AgCl電極應(yīng)該如何放置？并且，電解液如何選擇？有什么通用的電解液?jiǎn)幔浚ㄕ业搅艘黄嚓P(guān)文獻(xiàn)，但是文獻(xiàn)提供的電解液，我實(shí)驗(yàn)室不能配制） 非常感謝您的幫助��！ |
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感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
Nano-mse: 金幣+5, ★★★很有幫助, 非常感謝您！我還想進(jìn)一步問3個(gè)小問題，一個(gè)是FTO基片一般如何封裝？二是依據(jù)半導(dǎo)體材料選擇電解質(zhì)溶液基于什么原則呢？三是那種在絕緣體基底上鍍電極，然后在把材料沉積在電極上的測(cè)試方法是測(cè)什么的呢？也是I-V曲線嗎？非常感謝您！ 2013-11-18 16:41:36
zlin: ECEPI+1, 鼓勵(lì)應(yīng)助！ 2013-11-21 10:33:08
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兩個(gè)測(cè)試都要用到三電極系統(tǒng)和電化學(xué)工作站，以及Pt電極（對(duì)電極）、Ag/AgCl 電極（參比電極）和電解質(zhì)溶液。 1、I-Vcurves測(cè)量時(shí)，要將FTO基片封裝好作為工作電極，夾住一端，（1/2到3/4）置于電解質(zhì)溶液中，用LSV模式，選好測(cè)量電壓區(qū)間（一般要跟標(biāo)準(zhǔn)氫電極進(jìn)行換算）和掃描速率就可以測(cè)量了 2、C-Vcurves的測(cè)量大致跟I-V測(cè)量相近 電解質(zhì)溶液根據(jù)半導(dǎo)體材料來選擇，有酸性、中性和堿性三種，可自己配置 |
2樓2013-11-18 15:24:27
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Nano-mse: 金幣+15, ★★★很有幫助, 非常感謝您！那么如果我在FTO上預(yù)留了一點(diǎn)空白，也就可以不用封裝了嗎？另外將周圍封裝是什么意思呢？是把長(zhǎng)材料的那一面封裝起來嗎？不是很理解怎么操作，您可以推薦相關(guān)比較實(shí)用的文獻(xiàn)嗎？(包括電解質(zhì)如何選擇)。再次感謝您！ 2013-11-19 21:42:24
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1、封裝。你可以在制作基片時(shí)，在FTO上留點(diǎn)空白，若FTO片子上全部長(zhǎng)了半導(dǎo)體材料，就用環(huán)氧樹脂將周圍封裝 2、電解質(zhì)。電解質(zhì)溶液有酸性、中性和堿性，什么原則我記不清了，但是你記住，配置的電解質(zhì)溶液不能刻蝕或腐蝕你的半導(dǎo)體材料，比如你的FTO上長(zhǎng)的是金屬氧化物半導(dǎo)體，你不可能用酸性電解質(zhì)溶液吧，一般是堿性較多，再者是中性 3、這個(gè)問題有點(diǎn)糾結(jié)，例如FTO片子，就是摻雜F的二氧化錫玻璃，具有微弱的導(dǎo)電性，一般是不會(huì)在絕緣基底上做的，這個(gè)主要測(cè)試的是材料的光響應(yīng)能力，就是將光子轉(zhuǎn)化為電子的能力 |
3樓2013-11-18 19:28:01
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Nano-mse: 金幣+10, ★★★很有幫助, 非常感謝您？不好意思，我還想問下，我們的reference電極，是直接買的，也要置于AgCl飽和溶液中嗎？還是測(cè)的時(shí)候是把電解質(zhì)放在一個(gè)小燒杯，然后把三種電極都放在里面就可以了嗎？ 2013-11-25 11:11:26
417491817: ECEPI+1, 歡迎蟲蟲多多交流！ 2013-11-25 15:20:50
Nano-mse: 金幣+10, ★★★很有幫助, 非常感謝您？不好意思，我還想問下，我們的reference電極，是直接買的，也要置于AgCl飽和溶液中嗎？還是測(cè)的時(shí)候是把電解質(zhì)放在一個(gè)小燒杯，然后把三種電極都放在里面就可以了嗎？ 2013-11-25 11:11:26
417491817: ECEPI+1, 歡迎蟲蟲多多交流！ 2013-11-25 15:20:50
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1、制作的時(shí)候留點(diǎn)空白是可以的，我現(xiàn)在就這么做，這樣做出來的基片只要木有大的缺陷，基本都不用封裝的。 2、封裝的話，是在正面封裝，反面的物質(zhì)是要去除的；封裝：a、可以防止正面有缺陷而導(dǎo)致的漏電，b、可以通過封裝在基片的一端引入金屬墊片增加導(dǎo)電率 3、電解質(zhì)溶液這個(gè)不太好說，一般是參考文獻(xiàn)里面的來做的 |
5樓2013-11-21 09:18:45
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Nano-mse: 金幣+10, ★★★很有幫助, 非常感謝！我買到了文獻(xiàn)里介紹的電解質(zhì)，今天正式測(cè)了一次，但是發(fā)現(xiàn)當(dāng)提示“current overload”時(shí)，F(xiàn)TO上的樣品就出現(xiàn)溶解現(xiàn)象，這是正常的嗎？我中間為了看看參比電極是否好使，就把它從電解質(zhì)里拿出了一次，發(fā)現(xiàn)FTO上的浸入電解質(zhì)中的材料迅速消失，露出FTO表面，這些現(xiàn)象都是電流將材料褪去的嗎？如果是的話，一般如何避免這種樣品損失？再次感謝！ 2013-11-26 13:45:00
zlin: ECEPI+1, 鼓勵(lì)應(yīng)助！ 2013-11-26 23:01:17
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| 我們使用的參比電極也是買的，但是首先你要了解，氯化銀電極http://incole.com/cpzs--canbidjpic/cbdj03.JPG，Ag/AgCl一般是浸在不飽和氯化鉀溶液中的（透明玻璃管中溶液），使用時(shí)將里面的溶液換成飽和氯化鉀溶液就行。對(duì)于電解質(zhì)溶液，可以用燒杯，也可以按你們的要求定作一個(gè)聚四氟乙烯做的電極池，這個(gè)沒多大要求，測(cè)量時(shí)，三電極放在里面，但是記著要懸空，不要碰著底部就行 |
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Nano-mse: 金幣+5, ★有幫助, 非常感謝您的回復(fù)和解答。我是把材料直接長(zhǎng)在導(dǎo)電玻璃上了，但是今天正式測(cè)的時(shí)候發(fā)現(xiàn)，玻璃上的樣品有損失，似乎是由電流過載引起的... 2013-11-26 14:01:02
Nano-mse: 金幣+5, ★有幫助, 非常感謝您的回復(fù)和解答。我是把材料直接長(zhǎng)在導(dǎo)電玻璃上了，但是今天正式測(cè)的時(shí)候發(fā)現(xiàn)，玻璃上的樣品有損失，似乎是由電流過載引起的... 2013-11-26 14:01:02
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1、很高興看到了這篇帖子，我之前也在導(dǎo)電玻璃膜上修飾材料，但是在做電化學(xué)測(cè)試的時(shí)候，容易脫落，請(qǐng)問樓主，你們用怎樣的粘合劑來防止脫落？？ 2、在做電化學(xué)測(cè)試的時(shí)候，一般都用的是三電極體系即可。 3、電解液可以選擇，0.1M氫氧化鈉，或者PBS溶液。 |
7樓2013-11-25 17:30:05
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