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Nano-mse金蟲 (小有名氣)
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[求助]
I-V 曲線 和 C-V 曲線 之間有什么區(qū)別?
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各位好,我想咨詢一下I-V curve 和 C-V curve 之間在測試目的和測試方法上有什么區(qū)別? 如果我已經(jīng)在FTO玻璃上生長了一種半導體材料,有電化學工作站、Pt電極、Ag/AgCl 電極,那么如果想進行以上兩種測試,具體該如何進行呢? PS: 我的理解是,測I-V曲線的話,直接把電化學工作站的probe分別接在FTO兩端,直接測即可,是這樣嗎? 對于C-V曲線,則需要把FTO和Pt電極分別連接到電化學工作站,再置于電解液中,然后測量?如果這個是對的,那么Ag/AgCl電極應該如何放置?并且,電解液如何選擇?有什么通用的電解液嗎?(找到了一篇相關文獻,但是文獻提供的電解液,我實驗室不能配制) 非常感謝您的幫助! |
一些能用到的東西。 |
金蟲 (小有名氣)
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1、封裝。你可以在制作基片時,在FTO上留點空白,若FTO片子上全部長了半導體材料,就用環(huán)氧樹脂將周圍封裝 2、電解質(zhì)。電解質(zhì)溶液有酸性、中性和堿性,什么原則我記不清了,但是你記住,配置的電解質(zhì)溶液不能刻蝕或腐蝕你的半導體材料,比如你的FTO上長的是金屬氧化物半導體,你不可能用酸性電解質(zhì)溶液吧,一般是堿性較多,再者是中性 3、這個問題有點糾結(jié),例如FTO片子,就是摻雜F的二氧化錫玻璃,具有微弱的導電性,一般是不會在絕緣基底上做的,這個主要測試的是材料的光響應能力,就是將光子轉(zhuǎn)化為電子的能力 |

金蟲 (小有名氣)
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兩個測試都要用到三電極系統(tǒng)和電化學工作站,以及Pt電極(對電極)、Ag/AgCl 電極(參比電極)和電解質(zhì)溶液。 1、I-Vcurves測量時,要將FTO基片封裝好作為工作電極,夾住一端,(1/2到3/4)置于電解質(zhì)溶液中,用LSV模式,選好測量電壓區(qū)間(一般要跟標準氫電極進行換算)和掃描速率就可以測量了 2、C-Vcurves的測量大致跟I-V測量相近 電解質(zhì)溶液根據(jù)半導體材料來選擇,有酸性、中性和堿性三種,可自己配置 |

金蟲 (小有名氣)
金蟲 (小有名氣)
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1、制作的時候留點空白是可以的,我現(xiàn)在就這么做,這樣做出來的基片只要木有大的缺陷,基本都不用封裝的。 2、封裝的話,是在正面封裝,反面的物質(zhì)是要去除的;封裝:a、可以防止正面有缺陷而導致的漏電,b、可以通過封裝在基片的一端引入金屬墊片增加導電率 3、電解質(zhì)溶液這個不太好說,一般是參考文獻里面的來做的 |

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