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半導體與半導體形成的異質結叫什么 已有1人參與
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金屬與半導體形成的異質結是肖特基結,那半導體與半導體形成的異質結叫什么? [ Last edited by congqin312 on 2013-12-3 at 17:25 ] |

鐵蟲 (小有名氣)

鐵桿木蟲 (著名寫手)


鐵桿木蟲 (著名寫手)


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鐵蟲 (正式寫手)
銀蟲 (正式寫手)
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個人認為分為pn異質結和非pn異質結,我之前回復過個帖子轉過來供參考。對pn異質結來說,由于多子(包括n結里的電子和p結內(nèi)的空穴)的擴散,會在pn結界面處形成內(nèi)建電場,在光照下,一般來說,由于內(nèi)建電場的驅使,p-type CB上的光生電子會朝n-type上的CB上遷移,而n-type上的光生空穴會朝p-type上的VB遷移【W(wǎng)ang xc*, Semiconductor heterojunction photocatalysts:design, construction, and photocatalytic performances,Chem. Soc. Rev, 2014】。但也見過反常的例子,pn異質結形成后,二半導體費米能級的不同會導致能帶導帶、價帶的上下相對移動使其相對電位的變化,從而達到一個平衡態(tài)的費米能級,結果就是一半導體CB中的電子與另一半導體中VB里留下的空穴復合,最終形成所謂的Z-scheme異質結【Dong Fan*, Three dimensional Z-scheme (BiO)2CO3/MoS2with enhanced visiblelight photocatalytic NO removal.Applied Catalysis B: Environmental 199 (2016) 87–95】。比較少見,就目前我也只見過這一篇文獻。 還有一類是非pn異質結,復合后自身能帶結構不發(fā)生改變(可能是沒有多子擴散的影響了吧?),構成錯位的能帶結構,由于電位差形成的內(nèi)建電場(有別于p-n結的多子擴散形成的內(nèi)建電場)的作用,電子從高CB往低CB流,空穴從低VB往高VB流。 不知正確與否,歡迎繼續(xù)討論。 |
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