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如何選擇Mott-Schottky曲線電位范圍？謝謝！
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各位大俠，小蟲最近剛剛接觸Mott-Schottky曲線，其中有多處不明白的地方，困擾許久，特來求助各位大俠，還望不吝指點，謝謝啦！麻煩了！ 具體問題如下： （1）測試M-S曲線時，電位范圍該如何選擇？（我的是一種新物質，無文獻參考）電位不同是不是對Efb有很大影響？ （2）測試時，曲線最低點即起峰位點對應的縱坐標不為零，這樣可以嗎？（如圖） （3）根據(jù)M-S曲線測試得到的Efb位點與由線性掃描得到的起峰位點不同，該怎樣解釋呢？有文獻解釋為The discrepancy between VFB and the photocurrent onset is likely due to OER overpotential losses and voltage drops in the circuit. 我的是HER也可以這樣解釋嗎？ 謝謝諸位！萬分感謝！ 未標題-2 拷貝.jpg |
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Jackcd12
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7樓2017-11-10 00:05:23
Jackcd12
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【答案】應助回帖
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感謝參與，應助指數(shù) +1
zhuosifei: 金幣+20, ★★★★★最佳答案, 非常感謝您！我依次再做進一步的測試，有問題再問您！謝謝您的熱心幫助！ 2013-12-10 16:30:09
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1. M-S測試時，在不清楚膜的半導體類型的情況下，以開路電位為中心點，電位掃描范圍可以在中心點左右0.6V范圍內(nèi)，根據(jù)曲線情況，再確定擴大或縮小電位范圍。 2. M-S 曲線的最低點并不需要一定接近0，但計算C^-2時要注意正確使用電容的公司和各常數(shù)的單位。 3. 平帶電位是半導體膜性質決定的，與光照時從I-V 曲線上得到的起始電位不完全吻合也是正常的，因M-S曲線是在半導體空間層處于耗盡層狀態(tài)下測試，受測試條件（阻抗測試采用的頻率，電位掃描速度等）和人工切線的選擇等因素的影響，但一般不會相差太大。 |
2樓2013-12-10 13:18:54
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老師，您好！ 關于M-S曲線我還有一個問題想問您！謝謝！打擾了��！ （1）我對比兩個樣品，在做光電響應曲線，即線掃時，起峰電位（電流開始大于零時）是有區(qū)別的，相差0.15V。是我想要的結果。但是在做M-S曲線時，平帶電位卻怎么測都是相同的值，不知是什么原因？（測試過程：開路電位也不太穩(wěn)定，大概在0.2-0.4之間，如果我選擇-0.4-1.2會得到一條斜率為正的直線，但是兩條曲線的平帶電位值確是相同的） （2）如果我選擇-1.2-0.6，如上圖所示，會出現(xiàn)兩段直線區(qū)域，如果選擇0-0.6之間的直線區(qū)域，那么兩條曲線即兩個樣品的平帶電位都是1.1V，也沒有區(qū)別，但是如果選擇-0.4-0V之間的區(qū)域，則結果與線掃的結果相符，但是此時這段區(qū)域是在開路電位的左側，即開路電位是0.2V，不在所選區(qū)域之內(nèi)，這樣可以嗎？ 我現(xiàn)在不知道該如何用M-S曲線，如果我的開路電位是0.2V，我可以用上圖的M-S曲線，并選擇-0.4-0V的直線區(qū)域嗎？ 打擾老師了！謝謝��！ |
3樓2013-12-30 11:29:32
Jackcd12
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4樓2013-12-30 12:22:15
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