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javase至尊木蟲 (著名寫手)
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[求助]
五道有關(guān)薄膜制備的問答題,一道40個(gè)金幣,請大家?guī)蛶臀襼~~ 已有1人參與
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1.用熱力學(xué)界面能理論,求真空蒸發(fā)沉積成膜時(shí)臨界晶核的大小、臨界晶核的數(shù)密度以及成核速率。分析影響臨界晶核尺寸大小的熱力學(xué)因素。 2.試根據(jù)宏觀的成核理論,從鍵能的角度分析A原子沉積在B襯底上的薄膜生長模式。 3.試分析直流濺射沉積中,放電氣體對濺射成膜速率、薄膜純度的影響; 探討影響膜中放電氣體含量的因素及減少含量的途徑。 4. 為什么合金和化合物沉積時(shí),不易得到原成分比? 為得到原成分比可采用哪些方法。 5.根據(jù)射頻放電離子鍍的工作原理,闡述其優(yōu)缺點(diǎn),分析其繞射性和膜層的附著性。如果用其有意識的沉積含氦的鈦膜,如何設(shè)計(jì)鍍膜工藝來控制其含氦量? 都是問答題,越詳細(xì)越好,截止日期為1月6日晚,周末兩天時(shí)間足夠了吧……每道題最佳答案給予40個(gè)金幣的獎(jiǎng)勵(lì),總共200個(gè)金幣噢,謝謝大家! [ Last edited by javase on 2014-1-3 at 18:30 ] |
銀蟲 (小有名氣)
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第四題:原因:由于各成分的飽和蒸氣壓不同,使得蒸發(fā)速率也不同,會(huì)發(fā)生分解和分離從而引起薄膜成分的偏離 合金:可采用瞬間蒸發(fā)法和雙源或者多源蒸發(fā)法 化合物:可采用反應(yīng)蒸發(fā)法,電阻加熱法,雙源或者多源蒸發(fā)法 |

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