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[交流]
如何獲得平整度較高的不同后的的Si上SiO2層? 已有1人參與
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| 大家好,我需要200nm到600nm約20nm左右間隔的Si上SiO2薄膜,去找硅片廠商熱氧化是可以,但是每個厚度都需要獨立的氧化,而每個厚度需要的不多,所以成本很高。用磁控濺射可以,但是折射率會和熱氧化的不太一致,所以暫時不考慮。我準備用BOE,但是不知道平整度如何?請問大家關(guān)于BOE腐蝕方面有沒有什么建議?謝謝! |
專家顧問 (著名寫手)
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