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wye616金蟲 (初入文壇)
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[求助]
關(guān)于薄膜樣的XRD測(cè)試 已有2人參與
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硅片上沉積了Au,在沉積了想要測(cè)試的薄膜樣品,保守估計(jì)有50nm+的厚度,100應(yīng)該也可以達(dá)到 先做了最基本的XRD測(cè)試,發(fā)現(xiàn)Si和Au的信號(hào)特別強(qiáng),但是又跟標(biāo)準(zhǔn)卡片的角度有點(diǎn)偏差(不排除再沉積的樣品與Au相互作用?),有個(gè)樣品Si強(qiáng)度有760000…… 所以就想求教下各位: 是再做裸Si 或者鍍過Au的Si后的XRD,扣減下譜峰強(qiáng)度對(duì)照角度比較現(xiàn)實(shí)? 還是做個(gè)掠入射XRD好呢? 另外,關(guān)于掠入射XRD測(cè)試厚度是多少呢? 非常感謝各位! |
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