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xiangpitou金蟲 (小有名氣)
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[求助]
VASP模擬水環(huán)境 已有1人參與
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| 求助:最近想用VASP軟件模擬水環(huán)境中O2在金屬表面的吸附,第一步建模,是先根據(jù)體系大小要得到41個(gè)H2O分子的模型?次墨I(xiàn)上說(shuō)采用固體冰的模型,不大明白。想求助41個(gè)H2O分子的POSCAR怎么寫?有相應(yīng)cif文件嗎? |
金蟲 (小有名氣)
木蟲 (正式寫手)
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如果你有materials studio和vesta軟件,你可以參考下面的步驟建立POSCAR: 1,在MS中打開一個(gè)新的.xsd文件,并建立一個(gè)水分子 2,在工具欄中選Modules -> Amorphous cell -> construction; 在彈出的對(duì)話框中點(diǎn)add并把number改為41,再點(diǎn)construct 3,等待一會(huì),生成的.xtd文件中就含有41個(gè)水分子了,接著你可以用切原子面的方法把它和你的金屬表面拼接起來(lái)(此處有點(diǎn)簡(jiǎn)略,希望你明白我說(shuō)的意思) 4,把建好的模型導(dǎo)出為.cif文件,用vesta打開,再導(dǎo)出為.vasp文件(它與POSCAR格式相同)。 |
金蟲 (小有名氣)
木蟲 (正式寫手)
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