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小木蟲論壇-學術科研互動平臺 » 材料區(qū) » 微米和納米 » 學術討論 » pn節(jié)I-V特性
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superlx銅蟲 (小有名氣)
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pn節(jié)I-V特性 已有2人參與
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我做的pn節(jié)，首先是在熱氧化形成了300nmSiO2/Si的襯底上首先制備了一層N型半導體，然后在N型半導體上又鍍了一層P型半導體， 但是由于忘記在鍍P型半導體時忘記遮擋住一塊N型的區(qū)域，現在的兩個電極都在P型半導體上，那么現在要是去測這兩個的電極間的I-V 特性應該是什么樣的呢？貌似不滿足P-N節(jié)也不滿足P-N-P節(jié)的條件呢~？難道是一個P-N節(jié)的I-V特性加一個P型半導體自己的I-V特性的 并聯結果嗎？真的不懂了~~ 有高手嗎？ pn.jpg |
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