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yanbaojun金蟲 (著名寫手)
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[求助]
求助~畫半導體和絕緣體能帶圖
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摻鋁的氧化鋅材料（AZO）和氧化鎂材料結合在一起，它們的能帶圖如何畫？ 請材料、物理等專業(yè)的高手指點，謝謝！  |
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煉獄之火
至尊木蟲 (知名作家)
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【答案】應助回帖
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采用VASP軟件計算出相應的能帶后，那就用origin，好多列用不同的y就可以了啊，不僅是能帶計算，帶自旋的態(tài)密度計算也同樣處理。 一個處理能帶數(shù)據(jù)的代碼，先編譯一下生成一個可執(zhí)行程序，然后在你的vasp計算目錄下面運行生成的可執(zhí)行程序即可得到一個可以用origin處理的能帶數(shù)據(jù) 如果沒有考慮自旋轉，生成的文件名是bnd.dat 考慮了自選，則生成兩個文件bndup.dat和bnddn.dat，一個自旋向上，另一個是自旋向下 程序執(zhí)行過程中會要你輸入費米能級（單位是eV）。 bnd.dat文件中，第一列是x坐標（沒有意義，畫圖的時候要把它的標度隱掉，并寫上高對稱點），它按KPOINTS中的高對點順序依次排開。 程序從網(wǎng)上找的，自己相應改一下.......版權不屬于我......呵呵 program prog real, allocatable :: e(:,  ,eup(:,,edn(:, real, allocatable :: k(:, ,dk( ,x(real, dimension(3) ::k0,a real, dimension(6) ::xxxx character(len=32):: xx, yy ,nosence write(6,*) 'fermi level (eV)' read(5,*) ef open(10,file='EIGENVAL', status='old') read(10,*) iii, iii, iii, ispin read(10,*) (xxxx(i),i=1,5) read(10,*) xxxx(6) read(10,*) xx read(10,*) yy read(10,*) nn,nk,nbands allocate(e(nk,nbands)) allocate(eup(nk,nbands)) allocate(edn(nk,nbands)) allocate(k(nk,3)) allocate(dk(0:nk)) allocate(x(1:nk)) wtk=0.2500000E-01 if(ispin.eq.2) then open(13,file='bndup.dat') open(14,file='bnddn.dat') do i=1,nk read(10,*) read(10,*) (k(i,j),j=1,3),wtk do j=1,nbands read(10,*) jj,eup(i,j),edn(i,j) enddo enddo do n=1,nk dk(0)=0 if (n.eq.1) then k0=k(n, endif a=k(n, -k0 dk(n)=dk(n-1)+sqrt(dot_product(a,a)) x(n)=dk(n) k0=k(n, enddo do i=1,nk write(13,9030) x(i), ((eup(i,j)-ef),j=1,nbands) write(14,9030) x(i), ((edn(i,j)-ef),j=1,nbands) enddo else open(11,file='bnd.dat') do i=1,nk read(10,*) read(10,*) nosence,nosence,nosence,(k(i,j),j=1,3) read(10,*) do j=1,nbands read(10,*) jj,e(i,j) enddo enddo do n=1,nk dk(0)=0 if (n.eq.1) then k0=k(n, endif a=k(n, -k0 dk(n)=dk(n-1)+sqrt(dot_product(a,a)) x(n)=dk(n) k0=k(n, enddo do i=1,nk write(11,9030) x(i),((e(i,j)-ef),j=1,nbands) enddo endif 9030 format (1x,f9.4,2x ,2000(f12.6,2x)) stop end program prog 學習一下～ |
2樓2014-04-10 17:52:20
qfw_68
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【答案】應助回帖
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yanbaojun: 金幣+5, 博學EPI+1, ★★★很有幫助 2014-04-10 20:36:03
yanbaojun: 金幣+5, 博學EPI+1, ★★★很有幫助 2014-04-10 20:36:03
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這個問題需要知道或查找到這些數(shù)據(jù)： 1、AZO的費米能級相對于真空能級的位置（AZO的費米能級一般進入到ZnO的導帶中，其位置與Al的摻雜量等有關）； 2、MgO的導帶、價帶相對于真空能級的位置。如果MgO是本征的（i-MgO），則其費米能級在禁帶中央；否則其費米能級與摻雜水平等有關（需確認或查找）。 結合上述數(shù)據(jù)，再看看“半導體物理”一書中“金屬-半導體接觸”章節(jié)的知識就完全可以畫出來了。（費米能級的知識在“半導體物理”一書中也有） |
3樓2014-04-10 19:37:52
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