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dreamdlh銅蟲 (初入文壇)
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[求助]
成鍵態(tài)和反鍵態(tài) 已有1人參與
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看論文的時候,有說Si的成鍵態(tài)和反鍵態(tài)差值成為Eg,大小4.8eV,類似的Ge為4.3 我有兩個疑問,這里成鍵態(tài)和反鍵態(tài)的差值是個什么概念,有說應該就是禁帶寬度,但Si禁帶寬度應該就是1.12eV啊 另外,若對于Si的成鍵態(tài)反鍵態(tài)差值是4.8eV成立,那么SiO2的成鍵態(tài)和反鍵態(tài)差值是好多呢 |
鐵桿木蟲 (著名寫手)
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對于共價鍵,單電子方程的解——分子軌道波函數(shù),可以選取原子波函數(shù)的線性組合;因有兩種組合方式,則得到兩種分子軌道波函數(shù):一種是電子云密集在原子核之間的成鍵態(tài),另一種是原子核之間電子云密度減小的反鍵態(tài);成鍵態(tài)上可以填充自旋相反的2個電子,即成為具有飽和性和方向性的共價鍵。 對于共價晶體,例如Si,原子首先進行sp3軌道雜化,形成4個雜化軌道,然后近鄰原子的雜化軌道之間組合成為成鍵態(tài)和反鍵態(tài),最后以成鍵態(tài)和反鍵態(tài)為基礎組成Bloch和,形成能帶;因此能帶與成鍵態(tài)和反鍵態(tài)之間有著簡單的相互對應關系:成鍵態(tài)對應的4個能帶交疊在一起即為價帶,反鍵態(tài)對應的4個能帶交疊在一起即為導帶。 至于差值是4.8,是不是如此。我沒有看到文獻,就理論上來說不應該是這樣。 |
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