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chc33新蟲 (初入文壇)
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[求助]
ICP刻蝕側(cè)壁陡直度 已有2人參與
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| 請(qǐng)問做ICP刻蝕研究的高手，二氧化硅線條刻蝕后的側(cè)壁陡直度主要取決于哪些因素？我們實(shí)驗(yàn)室以前有一天ICP刻蝕機(jī)，腔室比較小，我們可以刻出側(cè)面將近90度的側(cè)壁，最近新?lián)Q了一臺(tái)腔室很大的ICP刻蝕機(jī)，下電極尺寸320mm，但是刻出來的氧化硅線條側(cè)壁陡直度很差，我調(diào)了很多參數(shù)，包括上下電極功率，腔室壓力，氣體流量及配比，我們使用CHF3, Ar和O2，但發(fā)現(xiàn)陡直度改善很有限，不知道側(cè)壁陡直度主要取決于什么因素？望高人指點(diǎn)，萬分感激 |
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yuanxin5254
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2樓2014-04-26 20:36:55
quanten
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3樓2014-04-27 01:42:12
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4樓2014-04-30 11:14:22
pptang
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5樓2014-05-27 17:14:55
6樓2015-07-22 17:21:37
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