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鈦酸鋇 磁控濺射 襯底升溫至660℃依然得到非晶膜。求問什么原因？ 已有1人參與
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各位大神好！最近剛剛接觸磁控濺射。。。想做鈦酸鋇的濺射。但是總是得到非晶膜。 第一次均在襯底是室溫下濺射的，得到的都是非晶薄膜，700-900°C退火以后一堆雜峰。 第二次做之前查閱了一下文獻，發(fā)現(xiàn)需要在襯底高溫下進行濺射。于是調(diào)整工藝參數(shù)。 條件如下： 儀器 PVD Products 靶材 3 inch， 也就是7.5 cm直徑， 功率 70W， 算的功率密度約為1.59W/cm2 氣氛 Ar/O2 4:1 (流速20sccm：5sccm) 氣壓試過5mTorr 和15mTorr； 襯底用的Si/5 nm Cr/30 nm Pt，襯底溫度設(shè)定700 實際溫度為660，升溫速度25/min, 降溫15/min 靶到襯底的距離為12cm 濺射1.5小時得到45nm左右厚的薄膜，即是說大約為0.5 nm/min。 濺射出來的，仍然是非晶。 800下快速退火，得到的XRD跟第一次室溫濺射后退火的XRD一樣。。。 貌似有一點鈦酸鋇但是大部分都是不知道什么歸屬的雜峰，且雜峰為主。。。盼望有經(jīng)驗的大神挑一下到底是什么毛病，指導(dǎo)一下  XRD請看附圖 我同時還嘗試濺射了鈷鐵氧。室溫下濺射得到的非晶，退火后亂七八糟。但是襯底升溫至350℃時就得到了鈷鐵氧的結(jié)晶薄膜了。鈷鐵氧的濺射條件中，只有氣氛和溫度不一樣，其他均一樣。用的是純氬氣。條件是： 靶材 3 inch， 功率 70W， 算的功率密度約為1.59W/cm2 氣氛 Ar (流速20sccm) 氣壓 5mTorr； 襯底用的Si/5 nm Cr/30 nm Pt，襯底溫度350-650 靶到襯底的距離為12cm 濺射1.5小時得到60nm左右厚的薄膜。 同樣是濺射 差距咋這么大呢 求助BTO.jpg |
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4樓2014-09-11 17:03:38
2樓2014-07-24 04:45:43
彬彬3028
木蟲 (正式寫手)
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3樓2014-07-24 09:13:11
whulsz
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5樓2015-01-07 12:49:34
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