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制備原子級(jí)別平坦度的Si100表面 已有5人參與
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小女子做所謂的 單原子光刻技術(shù)相關(guān)的課題 簡(jiǎn)單的說(shuō) 就是在原子級(jí)別平坦的H終端的Si表面，用STM的探針單獨(dú)的把1個(gè)或幾個(gè)氫原子脫離掉，然后再跟PH4反應(yīng)，因?yàn)橹挥新懵兜腟i的位置才能與之反應(yīng)。所以就能單獨(dú)的把一個(gè)P原子的前身嵌入到Si表面中。 然后再退火，因?yàn)镻H3的H和H終端的H的退火溫度不一樣，所以H終端可以當(dāng)做光刻技術(shù)的MASK。 H原子全部脫離掉之后，再外延生長(zhǎng)Si，這樣就把單個(gè)P原子精確的嵌入到Si基板中了。 目前研究生階段，只做到研究STM探針的電壓 電流 時(shí)間與H原子脫離面積的相關(guān)性研究就可以了。 所以第一個(gè)問(wèn)題就是制備 原子級(jí)別平坦度的H-Si（100）。 大多數(shù)論文都是用flash的方法，直接跟H2反應(yīng)。這個(gè)我們?cè)O(shè)備做不到，而且比較危險(xiǎn)，所以就無(wú)視了。 另一種是化學(xué)腐蝕法，先行研究成功的例子都是用Si111面。Si100面還沒(méi)有特別成功的例子。 不過(guò)，其實(shí)所謂的不成功的例子是指沒(méi)有大規(guī)模的制備出來(lái)，我想想 我也用不到大規(guī)模的，只要很小部分夠平坦就可以了。所以想想，還是可行的。 不知道大家有沒(méi)有什么經(jīng)驗(yàn)吶~~~~~~我僅僅是從論文看到的方法，理想跟現(xiàn)實(shí)是有差距的。 PS 論文中最成功的例子是 用NH4F溶液，并且N2注入溶液來(lái)清除溶存的O2。 |
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 uicorn3 |
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明顯你比我懂的多~~哈哈 我一自動(dòng)化轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)的小白 理論上慘得不行~~~~ 的確，做原子平坦度的Si，一般都是用高溫退火，但是因?yàn)樵O(shè)備不行~~ 而且比較危險(xiǎn)，所以采用濕化學(xué)法。還有一個(gè)原因是不需要大規(guī)模的平整的表面，一點(diǎn)點(diǎn)就夠了，所以，濕化學(xué)法總會(huì)有那么一塊夠平坦的表面就可以了~~~~ 為什么叫光刻技術(shù)~~~~教授起的~~~主要是因?yàn)橹虚g有一部跟光科技術(shù)核心做法一樣的部分吧~~~就是MASK。氫終端的si表面化學(xué)性質(zhì)很穩(wěn)定。而STM又有能力單獨(dú)移動(dòng)掉幾個(gè)H原子，這裸露的Si的site會(huì)跟dose進(jìn)去的磷烷反應(yīng)，而其他有氫終端的部分不會(huì)有反應(yīng)。這樣就能吧P原子的前身嵌入到Si基板中了~~~ 其實(shí)很多細(xì)節(jié)我都不懂啦~~~~只有一步一步做試驗(yàn)看看了~~~~ |
9樓2014-08-05 13:26:38
pengyingjing
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2樓2014-07-15 11:07:53
3樓2014-07-15 13:44:32
a370910527
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4樓2014-07-15 21:09:17
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