版塊導(dǎo)航: 正在加載中...

應(yīng)《網(wǎng)絡(luò)安全法》要求，自2017年10月1日起，未進(jìn)行實(shí)名認(rèn)證將不得使用互聯(lián)網(wǎng)跟帖服務(wù)。為保障您的帳號(hào)能夠正常使用，請(qǐng)盡快對(duì)帳號(hào)進(jìn)行手機(jī)號(hào)驗(yàn)證，感謝您的理解與支持！

24小時(shí)熱門版塊排行榜

返回列表

破卷天涯

銀蟲 (著名寫手)

應(yīng)助: 2 (幼兒園)
金幣: 307.7
散金: 5897
紅花: 33
帖子: 1992
在線: 320.4小時(shí)
蟲號(hào): 2993910
注冊(cè): 2014-02-25
性別: GG
專業(yè): 新型信息器件

[求助] sentaurus 軟件CV曲線的仿真問(wèn)題

1.各位神友，小弟最近在做MOS電容的CV仿真，主要是研究界面態(tài)的問(wèn)題，但是沒有相應(yīng)的CV仿真的dessis.cmd的文件（添加界面態(tài)），所以就自己看英文手冊(cè)，一句一句的看，才寫出了仿真文件，但是有點(diǎn)問(wèn)題，所以小弟特在此求CV仿真添加界面態(tài)的仿真文件。

2.小弟寫的文件在下面附件中，主要問(wèn)題是仿真完了以后，雖然不報(bào)錯(cuò)，但是生成的文件中卻寫著

interface 'region_2/R.epi' not found in grid file n1_msh.tdr
：

也就是找不到我添加界面態(tài)的界面。然而仿真出的CV曲線是有變化的，說(shuō)明界面態(tài)起到了作用如下：

可是遷移率顯示缺沒有變化，也就是說(shuō)界面態(tài)沒有對(duì)遷移率造成影響，這是為什么呢？我添加的界面態(tài)已經(jīng)很高了，是一定會(huì)對(duì)遷移率有影響的啊，難道是因?yàn)槲业倪w移率模型沒有加全么，可是我已經(jīng)能加的都加了啊。

仿真的文件見附件，為方便大家看，我復(fù)制如下：
器件結(jié)構(gòu)：
;*************************************************************************
; Setting parameters
; - lateral
(define Ltot 0.5)    ; [um] Lateral extend total

; - layers
(define Hox  5e-3)    ; [um] oxide thickness
(define Hepi 1.0) ; [um] epi thickness

; - Doping
(define Depi 5e16) ;  doping of epi

;----------------------------------------------------------------------
; Derived quantities
(define Xmax (/ Ltot 2.0))

(define Yox Hox)
(define Yepi (+ Yox Hepi))

;********************************************************************************
; Overlap resolution: New replaces Old
(sdegeo:set-default-boolean "ABA"

;*******************************************************************************
; Creating epi
(sdegeo:create-rectangle
  (position (* Xmax -1.0) Yepi 0.0 )
  (position Xmax    Yox  0.0 )
  "GaAs" "region_1"
)

; Creating oxide
(sdegeo:create-rectangle
  (position (* Xmax -1.0) Yox 0.0 )
  (position Xmax    0.0 0.0 )
  "HfO2" "region_2"
)

;************************************************************************

; Contact declarations
(sdegeo:define-contact-set "gate"
  4.0  (color:rgb 1.0 0.0 0.0 ) "##"

(sdegeo:define-contact-set "sub"
4.0 (color:rgb 0.0 1.0 0.0 ) "##"

;----------------------------------------------------------------------
; Contact settings
(sdegeo:define-2d-contact
(find-edge-id (position 0.0 0.0 0.0))
"gate" )

(sdegeo:define-2d-contact
(find-edge-id (position 0.0 Yepi 0.0))
"sub"

;------------------------------------------------------------------------
; Separating lumps
(sde:assign-material-and-region-names "all"

;***********************************************************************
(sde:add-material
(find-body-id (position 0.0 (* 0.5 (+ Yepi Yox)) 0.0))
"GaAs" "R.epi"

;----------------------------------------------------------------------
; Profiles:

; - EPI
(sdedr:define-constant-profile "Const.SiEpi"
"PhosphorusActiveConcentration" Depi )
(sdedr:define-constant-profile-region  "PlaceCD.SiEpi"
"Const.SiEpi" "R.epi" )

;*********************************************************************************
; Meshing Strategy:
; epi
(sdedr:define-refinement-size "Ref.Substrate"
  0.05    0.05
  0.02    0.02 )
(sdedr:define-refinement-region "RefPlace.Substrate"
"Ref.Substrate" "R.epi" )

;  Multibox
;(sdedr:define-refinement-window "MBWindow.Channel_1"
; "Rectangle"
; (position (* Xmax -1.0)  (+ 0.3e-3  Yox)       0.0)
; (position Xmax       (+  -0.3e-3  Yox)       0.0) )
;(sdedr:define-multibox-size "MBSize.Channel_1"
;  0.02 0.1e-3
;  0.01 0.05e-3
;  1.0       1.0 )
;(sdedr:define-multibox-placement "MBPlace.Channel_1"
; "MBSize.Channel_1" "MBWindow.Channel_1" )

;  Multibox
(sdedr:define-refinement-window "MBWindow.Channel_2"
"Rectangle"
(position (* Xmax -1.0)  (+ 80e-3  Yox)       0.0)
(position Xmax       0.0                0.0) )
(sdedr:define-multibox-size "MBSize.Channel_2"
  0.02 1e-3
  0.01 0.5e-3
  1.0       1.0 )
(sdedr:define-multibox-placement "MBPlace.Channel_2"
"MBSize.Channel_2" "MBWindow.Channel_2" )

;*****************************************************************************
(sde:build-mesh "mesh" "-F tdr" "n1_msh"

仿真文件：
  Device NMOS {

  Electrode {
{ Name="gate"    Voltage=0.0  Barrier=-0.0 }
{ Name="sub"    Voltage=0.0 }
  }

  File {
   Grid = "@tdr@"
   Current = "@plot@"
   Plot = "@tdrdat@"
  }

Physics {
      Temperature=300
      EffectiveIntrinsicDensity(OldSlotboom)
      IncompleteIonization
      Mobility(
            DopingDependence
            CarrierCarrierScattering
            HighFieldsaturation(GradQuasiFermi)
            Enormal(Lombardi_highk)
            IncompleteIonization
         )
         Recombination(
         SRH(DopingDep)
         Auger
         TrapAssistedAuger
         surfaceSRH
         )
}
}

  Plot {
   SRHRecombination
   SurfaceRecombination
   eMobility  hMobility
   eDensity hDensity eCurrent hCurrent
   ElectricField eEparallel hEparallel
   eQuasiFermi hQuasiFermi
   Potential Doping SpaceCharge
   DonorConcentration AcceptorConcentration
  }
}
Math {
   Extrapolate
   RelErrControl
   Notdamped=50
   Iterations=20
}

Physics (Materialinterface="GaAs/HfO2"

{
Traps(
(Acceptor Exponential fromCondBand Conc=1e14       EnergyMid=0 EnergySig=0.05 )
(Acceptor Exponential fromCondBand Conc=1.6487e12 EnergyMid=0 EnergySig=1.43 )

(Donor Exponential fromValBand  Conc=1e14       EnergyMid=0 EnergySig=0.05 )
(Donor Exponential fromValBand  Conc=1.6487e12 EnergyMid=0 EnergySig=1.43 )
   )
}

File {
   Output = "@log@"
   ACExtract = "@acplot@"
}

System {
   NMOS trans ( gate=g sub=b)
   Vsource_pset vg (g 0) {dc=0}
   Vsource_pset vb (b 0) {dc=0}
}
Solve {
   Poisson
   Coupled { Poisson Electron Hole }

   Quasistationary (
                  InitialStep=0.005 MaxStep=0.002 Minstep=1.0e-5
                  Goal { Parameter=vg.dc Voltage=-4 }
                  )
                  { Coupled { Poisson Electron Hole } }

   Quasistationary (
                  InitialStep=0.005 MaxStep=0.002 Minstep=1.0e-5
                  Goal { Parameter=vg.dc Voltage=4 }
                  )
                  { ACCoupled (
                           StartFrequency=1e6 EndFrequency=1e6
                           NumberOfPoints=1 Decade
                           Node(g b)  ##For which nodes the AC is performed(16 elements)
                           Exclude(vg vb)
                              )
                              { Poisson Electron Hole }
                              }
}

多謝各位指導(dǎo)！��！感激不盡啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊!!!!

回復(fù)此樓

» 猜你喜歡

285求調(diào)劑已經(jīng)有3人回復(fù)
求調(diào)劑已經(jīng)有3人回復(fù)
招收博士1-2人已經(jīng)有4人回復(fù)
08工科 320總分求調(diào)劑已經(jīng)有7人回復(fù)
生物學(xué)一志愿985，分?jǐn)?shù)349求調(diào)劑已經(jīng)有7人回復(fù)
0856材料專碩353求調(diào)劑已經(jīng)有4人回復(fù)
山東省面上項(xiàng)目限額評(píng)審已經(jīng)有4人回復(fù)
一志愿北京化工大學(xué)070300 學(xué)碩336求調(diào)劑已經(jīng)有5人回復(fù)
生物學(xué)071000 329分求調(diào)劑已經(jīng)有4人回復(fù)
一志愿華中科技大學(xué)071000，求調(diào)劑已經(jīng)有4人回復(fù)

» 本主題相關(guān)價(jià)值貼推薦，對(duì)您同樣有幫助:

求助分析CV曲線異常已經(jīng)有4人回復(fù)
CV測(cè)試求助，CV曲線點(diǎn)特別亂是怎么回事已經(jīng)有11人回復(fù)
電化學(xué)工作站測(cè)試CV曲線的問(wèn)題請(qǐng)教已經(jīng)有10人回復(fù)
CV曲線基線和電化學(xué)窗口問(wèn)題已經(jīng)有3人回復(fù)
這樣的CV曲線正常碼？已經(jīng)有5人回復(fù)
【求助】這樣的CV曲線反映了什么過(guò)程？已經(jīng)有7人回復(fù)
CV曲線求幫分析下！已經(jīng)有6人回復(fù)
CV曲線有交叉式什么原因已經(jīng)有88人回復(fù)
求助：CV曲線不平滑是什么原因已經(jīng)有11人回復(fù)
求助大家怎么使用origin8.0做CV曲線已經(jīng)有12人回復(fù)
CV曲線呈鋸齒狀已經(jīng)有14人回復(fù)
CV曲線作出來(lái)是條直線，改變靈敏值也不行，為什么，還有各種詭異的CV曲線已經(jīng)有28人回復(fù)
菜鳥求助CV曲線分析已經(jīng)有10人回復(fù)
CV曲線求分析已經(jīng)有3人回復(fù)
【請(qǐng)教】CV曲線積分問(wèn)題已經(jīng)有10人回復(fù)
關(guān)于用CV曲線計(jì)算電容器的容量已經(jīng)有52人回復(fù)
求大家?guī)兔Ψ治鱿逻@個(gè)CV曲線吧已經(jīng)有10人回復(fù)
【求助】請(qǐng)高手指教,有圖求真相——Pt/C催化劑穩(wěn)定性和CV曲線問(wèn)題已經(jīng)有8人回復(fù)
【求助】請(qǐng)教高手 ---CV曲線不閉合已經(jīng)有11人回復(fù)
【請(qǐng)教】CV曲線形狀已經(jīng)有18人回復(fù)

1樓 2014-08-17 19:32:38

已閱回復(fù)此樓關(guān)注TA 給TA發(fā)消息送TA紅花 TA的回帖

s_suny

木蟲 (小有名氣)

應(yīng)助: 2 (幼兒園)
金幣: 3979.7
紅花: 3
帖子: 74
在線: 129小時(shí)
蟲號(hào): 3008853
注冊(cè): 2014-03-02
性別: GG
專業(yè): 半導(dǎo)體材料

我對(duì)界面態(tài)對(duì)遷移率沒有產(chǎn)生影響是這樣理解的：你的遷移率模型中，只有摻雜依賴，載流子間散射，不完全離化等模型，而這些模型體現(xiàn)在軟件中的時(shí)候，請(qǐng)你自己詳細(xì)查閱有哪些是直接體現(xiàn)在你界面態(tài)參數(shù)對(duì)遷移率的改變的。我認(rèn)為沒有一個(gè)是，這就是你最終的結(jié)果。也可以認(rèn)為是現(xiàn)有的物理模型沒有達(dá)到你的要求。你可以采用一個(gè)折衷的辦法，界面態(tài)影響遷移率，能否體現(xiàn)在另一個(gè)參數(shù)中，而這個(gè)參數(shù)會(huì)對(duì)遷移率有影響。
由于沒有直接提供答案，所以不應(yīng)助了，如果思路對(duì)你有幫助，那最好不過(guò)了。

贊一下

回復(fù)此樓

2樓2014-08-17 19:42:36

已閱回復(fù)此樓關(guān)注TA 給TA發(fā)消息送TA紅花 TA的回帖

破卷天涯

銀蟲 (著名寫手)

應(yīng)助: 2 (幼兒園)
金幣: 307.7
散金: 5897
紅花: 33
帖子: 1992
在線: 320.4小時(shí)
蟲號(hào): 2993910
注冊(cè): 2014-02-25
性別: GG
專業(yè): 新型信息器件

引用回帖:

2樓: Originally posted by s_suny at 2014-08-17 19:42:36
我對(duì)界面態(tài)對(duì)遷移率沒有產(chǎn)生影響是這樣理解的：你的遷移率模型中，只有摻雜依賴，載流子間散射，不完全離化等模型，而這些模型體現(xiàn)在軟件中的時(shí)候，請(qǐng)你自己詳細(xì)查閱有哪些是直接體現(xiàn)在你界面態(tài)參數(shù)對(duì)遷移率的改變的 ...

你收的這個(gè)我也有想過(guò)，所以我有看手冊(cè)查閱，遷移率的模型一共有四大類分別是：
一、photon scattering 也就是 DopingDependence，考慮摻雜的影響
二、Degration at interface 也就是 Enormal(Lombardi_highk)，考慮了表面聲子和surface roughness 的影響，其中Lombardi_highk考慮了考慮了遠(yuǎn)程庫(kù)倫和遠(yuǎn)程聲子的作用
三、Carrier - carrier scarttering 也就是 CarrierCarrierScattering 考慮了carrier之間的作用
四、High - field saturation 也就是 HighFieldsaturation(GradQuasiFermi)
患有Energy - dependent mobility 模型，不過(guò)這個(gè)模型是在高能時(shí)候求解能量連續(xù)性方程用的，所以我沒有用。

四大類我都有用，可是結(jié)果..............

無(wú)論如何，還是多謝一片熱心了哈

贊一下

回復(fù)此樓

3樓2014-08-17 20:03:31

已閱回復(fù)此樓關(guān)注TA 給TA發(fā)消息送TA紅花 TA的回帖

破卷天涯

銀蟲 (著名寫手)

應(yīng)助: 2 (幼兒園)
金幣: 307.7
散金: 5897
紅花: 33
帖子: 1992
在線: 320.4小時(shí)
蟲號(hào): 2993910
注冊(cè): 2014-02-25
性別: GG
專業(yè): 新型信息器件

引用回帖:

患有我認(rèn)為最根本的問(wèn)題在于
interface 'region_2/R.epi' not found in grid file n1_msh.tdr
這句話，怎么能去掉這句話，應(yīng)該是根本！�。�！

贊一下

回復(fù)此樓

4樓2014-08-17 20:24:06

已閱回復(fù)此樓關(guān)注TA 給TA發(fā)消息送TA紅花 TA的回帖

s_suny

木蟲 (小有名氣)

應(yīng)助: 2 (幼兒園)
金幣: 3979.7
紅花: 3
帖子: 74
在線: 129小時(shí)
蟲號(hào): 3008853
注冊(cè): 2014-03-02
性別: GG
專業(yè): 半導(dǎo)體材料

引用回帖:

4樓: Originally posted by 破卷天涯 at 2014-08-17 20:24:06
患有我認(rèn)為最根本的問(wèn)題在于
interface 'region_2/R.epi' not found in grid file n1_msh.tdr
這句話，怎么能去掉這句話，應(yīng)該是根本�。。�！...

嘗試采用三維，直接修改器件結(jié)構(gòu)，如果還是不行，再想別的辦法。至少這一個(gè)因素能夠排除掉。

贊一下

回復(fù)此樓

5樓2014-08-17 21:00:53

已閱回復(fù)此樓關(guān)注TA 給TA發(fā)消息送TA紅花 TA的回帖

iris-wei

新蟲 (初入文壇)

應(yīng)助: 0 (幼兒園)
帖子: 1
在線: 24分鐘
蟲號(hào): 3884017
注冊(cè): 2015-05-22
性別: MM

你這個(gè)問(wèn)題解決了嗎？我最近也在做mosC-V特性仿真，可以QQ交流一下嗎

贊一下

回復(fù)此樓

6樓2015-05-22 09:35:15

已閱回復(fù)此樓關(guān)注TA 給TA發(fā)消息送TA紅花 TA的回帖

ajjcoo

木蟲 (正式寫手)

應(yīng)助: 2 (幼兒園)
金幣: 2863.6
紅花: 6
帖子: 436
在線: 444.2小時(shí)
蟲號(hào): 1086809
注冊(cè): 2010-09-01
專業(yè): 半導(dǎo)體電子器件

首先要明白什么是遷移率，你是mos不是mosfet

發(fā)自小木蟲IOS客戶端

贊一下

回復(fù)此樓

多情自古傷離別。更那堪、冷落清秋節(jié)。

7樓2017-10-08 10:40:04

已閱回復(fù)此樓關(guān)注TA 給TA發(fā)消息送TA紅花 TA的回帖

vivicai628

禁蟲

本帖內(nèi)容被屏蔽

8樓2019-12-05 09:30:26

已閱回復(fù)此樓關(guān)注TA 給TA發(fā)消息送TA紅花 TA的回帖

太難了8

禁蟲

本帖內(nèi)容被屏蔽

9樓2020-09-24 10:54:26

已閱回復(fù)此樓關(guān)注TA 給TA發(fā)消息送TA紅花 TA的回帖

電刀在手哦

新蟲 (小有名氣)

應(yīng)助: 0 (幼兒園)
金幣: 69.4
散金: 30
帖子: 65
在線: 8.2小時(shí)
蟲號(hào): 15699407
注冊(cè): 2019-07-22
專業(yè): 偏微分方程

引用回帖:

9樓: Originally posted by 太難了8 at 2020-09-24 10:54:26
注冊(cè)一個(gè)賬號(hào)也要回復(fù)�。∮龅搅烁鷺侵饕粯拥膯�(wèn)題，提示找不到界面。研究了兩天問(wèn)了很多人找到了解決方法：sde最后一句加“-AI”，原本提示找不到界面的語(yǔ)句是這樣的(sde:build-mesh "snmesh" &a ...

老哥，有仿真cmd來(lái)一份學(xué)習(xí)一下嗎？

發(fā)自小木蟲Android客戶端

贊一下

回復(fù)此樓

10樓2020-10-14 22:13:01

已閱回復(fù)此樓關(guān)注TA 給TA發(fā)消息送TA紅花 TA的回帖

相關(guān)版塊跳轉(zhuǎn) 我要訂閱樓主破卷天涯的主題更新

返回列表

最具人氣熱帖推薦 [查看全部]		作者	回/看	最后發(fā)表

[考研] 085600材料與化工306 +4	z1z2z3879 2026-03-21	4/200	2026-03-21 23:44 by ms629
[考研] 材料學(xué)碩301分求調(diào)劑 +7	Liyouyumairs 2026-03-21	7/350	2026-03-21 22:31 by peike
[考研] 333求調(diào)劑 +5	87639 2026-03-21	7/350	2026-03-21 19:31 by ColorlessPI
[考研] 工科0856求調(diào)劑 +3	沐析汀汀 2026-03-21	3/150	2026-03-21 18:30 by 學(xué)員8dgXkO
[考研] 材料 271求調(diào)劑 +5	展信悅_ 2026-03-21	5/250	2026-03-21 17:29 by 學(xué)員8dgXkO
[考研] 336求調(diào)劑 +5	rmc8866 2026-03-21	5/250	2026-03-21 17:24 by 學(xué)員8dgXkO
[考研] 298求調(diào)劑 +4	上岸6666@ 2026-03-20	4/200	2026-03-21 17:14 by 學(xué)員8dgXkO
[考研] 306求0703調(diào)劑一志愿華中師范 +5	紙魚ly 2026-03-21	5/250	2026-03-21 17:11 by 學(xué)員8dgXkO
[考研] 265求調(diào)劑 +12	梁梁校校 2026-03-19	14/700	2026-03-21 13:38 by lature00
[考研] 機(jī)械專碩299求調(diào)劑至材料 +3	kkcoco25 2026-03-16	4/200	2026-03-21 03:52 by JourneyLucky
[考研] 085700資源與環(huán)境308求調(diào)劑 +12	墨墨漠 2026-03-18	13/650	2026-03-21 01:42 by JourneyLucky
[考研] 0703化學(xué)調(diào)劑 +4	18889395102 2026-03-18	4/200	2026-03-19 16:13 by 30660438
[考研] 【同濟(jì)軟件】軟件（085405）考研求調(diào)劑 +3	2026eternal 2026-03-18	3/150	2026-03-18 19:09 by 搏擊518
[考研] 0854可跨調(diào)劑，一作一項(xiàng)核心論文五項(xiàng)專利，省、國(guó)級(jí)證書40+數(shù)一英一287 +8	小李0854 2026-03-16	8/400	2026-03-18 14:35 by 搏擊518
[考研] 293求調(diào)劑 +11	zjl的號(hào) 2026-03-16	16/800	2026-03-18 08:10 by zhukairuo
[考研] 326求調(diào)劑 +5	上岸的小葡 2026-03-15	6/300	2026-03-17 17:26 by ruiyingmiao
[論文投稿] 有沒有大佬發(fā)小論文能帶我個(gè)二作 +3	增銳漏人 2026-03-17	4/200	2026-03-17 09:26 by xs74101122
[考研] 283求調(diào)劑 +3	聽風(fēng)就是雨； 2026-03-16	3/150	2026-03-17 07:41 by 熱情沙漠
[考研] 機(jī)械專碩325，尋找調(diào)劑院校 +3	y9999 2026-03-15	5/250	2026-03-16 19:58 by y9999
[考研] 321求調(diào)劑 +5	大米飯！ 2026-03-15	5/250	2026-03-16 16:33 by houyaoxu

24小時(shí)熱門版塊排行榜

[求助] sentaurus 軟件CV曲線的仿真問(wèn)題

» 猜你喜歡

» 本主題相關(guān)價(jià)值貼推薦，對(duì)您同樣有幫助:

» 本主題相關(guān)價(jià)值貼推薦，對(duì)您同樣有幫助: