 |
 |
 |
 |
 |
 |
||
 |
 |
 |
 |
 |
| 5 | 1/1 | 返回列表 |
| 查看: 7015 | 回復: 9 | |||
| 當前只顯示滿足指定條件的回帖，點擊這里查看本話題的所有回帖 | |||
[求助]
sentaurus 軟件CV曲線的仿真問題
|
|||
 1.各位神友，小弟最近在做MOS電容的CV仿真，主要是研究界面態(tài)的問題，但是沒有相應的CV仿真的dessis.cmd的文件（添加界面態(tài)），所以就自己看英文手冊，一句一句的看，才寫出了仿真文件，但是有點問題，所以小弟特在此求CV仿真添加界面態(tài)的仿真文件。 2.小弟寫的文件在下面附件中，主要問題是仿真完了以后，雖然不報錯，但是生成的文件中卻寫著 interface 'region_2/R.epi' not found in grid file n1_msh.tdr ： 也就是找不到我添加界面態(tài)的界面。然而仿真出的CV曲線是有變化的，說明界面態(tài)起到了作用如下： 可是遷移率顯示缺沒有變化，也就是說界面態(tài)沒有對遷移率造成影響，這是為什么呢？我添加的界面態(tài)已經(jīng)很高了，是一定會對遷移率有影響的啊，難道是因為我的遷移率模型沒有加全么，可是我已經(jīng)能加的都加了啊。  仿真的文件見附件，為方便大家看，我復制如下： 器件結構： ;************************************************************************* ; Setting parameters ; - lateral (define Ltot 0.5) ; [um] Lateral extend total ; - layers (define Hox 5e-3) ; [um] oxide thickness (define Hepi 1.0) ; [um] epi thickness ; - Doping (define Depi 5e16) ; doping of epi ;---------------------------------------------------------------------- ; Derived quantities (define Xmax (/ Ltot 2.0)) (define Yox Hox) (define Yepi (+ Yox Hepi)) ;******************************************************************************** ; Overlap resolution: New replaces Old (sdegeo:set-default-boolean "ABA"  ;******************************************************************************* ; Creating epi (sdegeo:create-rectangle (position (* Xmax -1.0) Yepi 0.0 ) (position Xmax Yox 0.0 ) "GaAs" "region_1" ) ; Creating oxide (sdegeo:create-rectangle (position (* Xmax -1.0) Yox 0.0 ) (position Xmax 0.0 0.0 ) "HfO2" "region_2" ) ;************************************************************************ ; Contact declarations (sdegeo:define-contact-set "gate" 4.0 (color:rgb 1.0 0.0 0.0 ) "##" (sdegeo:define-contact-set "sub" 4.0 (color:rgb 0.0 1.0 0.0 ) "##" ;---------------------------------------------------------------------- ; Contact settings (sdegeo:define-2d-contact (find-edge-id (position 0.0 0.0 0.0)) "gate" ) (sdegeo:define-2d-contact (find-edge-id (position 0.0 Yepi 0.0)) "sub" ;------------------------------------------------------------------------ ; Separating lumps (sde:assign-material-and-region-names "all" ;*********************************************************************** (sde:add-material (find-body-id (position 0.0 (* 0.5 (+ Yepi Yox)) 0.0)) "GaAs" "R.epi" ;---------------------------------------------------------------------- ; Profiles: ; - EPI (sdedr:define-constant-profile "Const.SiEpi" "PhosphorusActiveConcentration" Depi ) (sdedr:define-constant-profile-region "PlaceCD.SiEpi" "Const.SiEpi" "R.epi" ) ;********************************************************************************* ; Meshing Strategy: ; epi (sdedr:define-refinement-size "Ref.Substrate" 0.05 0.05 0.02 0.02 ) (sdedr:define-refinement-region "RefPlace.Substrate" "Ref.Substrate" "R.epi" ) ; Multibox ;(sdedr:define-refinement-window "MBWindow.Channel_1" ; "Rectangle" ; (position (* Xmax -1.0) (+ 0.3e-3 Yox) 0.0) ; (position Xmax (+ -0.3e-3 Yox) 0.0) ) ;(sdedr:define-multibox-size "MBSize.Channel_1" ; 0.02 0.1e-3 ; 0.01 0.05e-3 ; 1.0 1.0 ) ;(sdedr:define-multibox-placement "MBPlace.Channel_1" ; "MBSize.Channel_1" "MBWindow.Channel_1" ) ; Multibox (sdedr:define-refinement-window "MBWindow.Channel_2" "Rectangle" (position (* Xmax -1.0) (+ 80e-3 Yox) 0.0) (position Xmax 0.0 0.0) ) (sdedr:define-multibox-size "MBSize.Channel_2" 0.02 1e-3 0.01 0.5e-3 1.0 1.0 ) (sdedr:define-multibox-placement "MBPlace.Channel_2" "MBSize.Channel_2" "MBWindow.Channel_2" ) ;***************************************************************************** (sde:build-mesh "mesh" "-F tdr" "n1_msh" 仿真文件： Device NMOS { Electrode { { Name="gate" Voltage=0.0 Barrier=-0.0 } { Name="sub" Voltage=0.0 } } File { Grid = "@tdr@" Current = "@plot@" Plot = "@tdrdat@" } Physics { Temperature=300 EffectiveIntrinsicDensity(OldSlotboom) IncompleteIonization Mobility( DopingDependence CarrierCarrierScattering HighFieldsaturation(GradQuasiFermi) Enormal(Lombardi_highk) IncompleteIonization ) Recombination( SRH(DopingDep) Auger TrapAssistedAuger surfaceSRH ) } } Plot { SRHRecombination SurfaceRecombination eMobility hMobility eDensity hDensity eCurrent hCurrent ElectricField eEparallel hEparallel eQuasiFermi hQuasiFermi Potential Doping SpaceCharge DonorConcentration AcceptorConcentration } } Math { Extrapolate RelErrControl Notdamped=50 Iterations=20 } Physics (Materialinterface="GaAs/HfO2" {Traps( (Acceptor Exponential fromCondBand Conc=1e14 EnergyMid=0 EnergySig=0.05 ) (Acceptor Exponential fromCondBand Conc=1.6487e12 EnergyMid=0 EnergySig=1.43 ) (Donor Exponential fromValBand Conc=1e14 EnergyMid=0 EnergySig=0.05 ) (Donor Exponential fromValBand Conc=1.6487e12 EnergyMid=0 EnergySig=1.43 ) ) } File { Output = "@log@" ACExtract = "@acplot@" } System { NMOS trans ( gate=g sub=b) Vsource_pset vg (g 0) {dc=0} Vsource_pset vb (b 0) {dc=0} } Solve { Poisson Coupled { Poisson Electron Hole } Quasistationary ( InitialStep=0.005 MaxStep=0.002 Minstep=1.0e-5 Goal { Parameter=vg.dc Voltage=-4 } ) { Coupled { Poisson Electron Hole } } Quasistationary ( InitialStep=0.005 MaxStep=0.002 Minstep=1.0e-5 Goal { Parameter=vg.dc Voltage=4 } ) { ACCoupled ( StartFrequency=1e6 EndFrequency=1e6 NumberOfPoints=1 Decade Node(g b) ##For which nodes the AC is performed(16 elements) Exclude(vg vb) ) { Poisson Electron Hole } } } 多謝各位指導！��！感激不盡啊啊啊啊啊啊啊啊啊啊!!!!  |
回復此樓» 猜你喜歡
299求調劑
已經(jīng)有8人回復
-
一志愿北京理工大學本科211材料工程294求調劑
已經(jīng)有6人回復
-
300求調劑，材料科學英一數(shù)二
已經(jīng)有8人回復
-
招收生物學/細胞生物學調劑
已經(jīng)有5人回復
-
070305高分子化學與物理 304分求調劑
已經(jīng)有7人回復
-
289求調劑
已經(jīng)有13人回復
-
一志愿哈爾濱工業(yè)大學材料與化工方向336分
已經(jīng)有9人回復
-
081200-11408-276學碩求調劑
已經(jīng)有6人回復
-
調劑求院校招收
已經(jīng)有5人回復
-
調劑310
已經(jīng)有8人回復
» 本主題相關價值貼推薦，對您同樣有幫助:
- 求助分析CV曲線異常
已經(jīng)有4人回復
- CV測試求助，CV曲線點特別亂是怎么回事
已經(jīng)有11人回復
- 電化學工作站測試CV曲線的問題請教
已經(jīng)有10人回復
- CV曲線基線和電化學窗口問題
已經(jīng)有3人回復
- 這樣的CV曲線正常碼？
已經(jīng)有5人回復
- 【求助】這樣的CV曲線反映了什么過程？
已經(jīng)有7人回復
- CV曲線求幫分析下！
已經(jīng)有6人回復
- CV曲線有交叉式什么原因
已經(jīng)有88人回復
- 求助：CV曲線不平滑是什么原因
已經(jīng)有11人回復
- 求助大家怎么使用origin8.0做CV曲線
已經(jīng)有12人回復
- CV曲線呈鋸齒狀
已經(jīng)有14人回復
- CV曲線作出來是條直線，改變靈敏值也不行，為什么，還有各種詭異的CV曲線
已經(jīng)有28人回復
- 菜鳥求助CV曲線分析
已經(jīng)有10人回復
- CV曲線 求分析
已經(jīng)有3人回復
- 【請教】CV曲線積分問題
已經(jīng)有10人回復
- 關于用CV曲線計算電容器的容量
已經(jīng)有52人回復
- 求大家?guī)兔Ψ治鱿逻@個CV曲線吧
已經(jīng)有10人回復
- 【求助】請高手指教,有圖求真相——Pt/C催化劑穩(wěn)定性和CV曲線問題
已經(jīng)有8人回復
- 【求助】請教高手 ---CV曲線不閉合
已經(jīng)有11人回復
- 【請教】CV曲線形狀
已經(jīng)有18人回復
|
本帖內(nèi)容被屏蔽 |
9樓2020-09-24 10:54:26
s_suny
木蟲 (小有名氣)
- 應助: 2 (幼兒園)
- 金幣: 3979.7
- 紅花: 3
- 帖子: 74
- 在線: 129小時
- 蟲號: 3008853
- 注冊: 2014-03-02
- 性別: GG
- 專業(yè): 半導體材料
2樓2014-08-17 19:42:36
|
你收的這個我也有想過，所以我有看手冊查閱，遷移率的模型一共有四大類分別是： 一、photon scattering 也就是 DopingDependence，考慮摻雜的影響 二、Degration at interface 也就是 Enormal(Lombardi_highk)，考慮了表面聲子和surface roughness 的影響，其中Lombardi_highk考慮了考慮了遠程庫倫和遠程聲子的作用 三、Carrier - carrier scarttering 也就是 CarrierCarrierScattering 考慮了carrier之間的作用 四、High - field saturation 也就是 HighFieldsaturation(GradQuasiFermi) 患有Energy - dependent mobility 模型，不過這個模型是在高能時候求解能量連續(xù)性方程用的，所以我沒有用。 四大類我都有用，可是結果.............. 無論如何，還是多謝一片熱心了哈 |
3樓2014-08-17 20:03:31
4樓2014-08-17 20:24:06
| 最具人氣熱帖推薦 [查看全部] | 作者 | 回/看 | 最后發(fā)表 | |
|---|---|---|---|---|
|
[考研] 300求調劑，材料科學英一數(shù)二 +8 | leaflight 2026-03-24 | 8/400 |
|
|---|---|---|---|---|
|
|
[考研] 305求調劑 +7 | RuiFairyrui 2026-03-28 | 7/350 |
|
|
[考研] 085600 材料與化工 329分求調劑 +10 | Mr. Z 2026-03-25 | 10/500 |
|
|
|
[考研] 298求調劑 +3 | 種圣賜 2026-03-28 | 3/150 |
|
|
|
[考研] 11408軟件工程求調劑 +3 | Qiu學ing 2026-03-28 | 3/150 |
|
|
|
[考研]
 一志愿廈門大學化學學碩307求調劑
+10
|
y7czhao 2026-03-26 | 10/500 |
|
|
|
[考研] 347求調劑 +3 | 山頂見α 2026-03-25 | 3/150 |
|
|
|
[考研] 311求調劑 +4 | 冬十三 2026-03-24 | 4/200 |
|
|
|
[考研] 藥學105500求調劑 +3 | Ssun。。 2026-03-28 | 3/150 |
|
|
|
[考研] 085602 307分 求調劑 +7 | 不知道叫什么！ 2026-03-26 | 7/350 |
|
|
|
[考研] 一志愿南昌大學324求調劑 +7 | hanamiko 2026-03-27 | 7/350 |
|
|
|
[考研] 340求調劑 +5 | jhx777 2026-03-27 | 5/250 |
|
|
|
[考研] 一志愿上海理工能源動力（085800）310分求調劑 +3 | zhangmingc 2026-03-27 | 4/200 |
|
|
|
[考研] 266分求材料化工冶金礦業(yè)等專業(yè)的調劑 +4 | 哇呼哼呼哼 2026-03-26 | 4/200 |
|
|
|
[考研] 考研調劑 +9 | 小蠟新筆 2026-03-26 | 9/450 |
|
|
|
[碩博家園] 北京林業(yè)大學碩導招生廣告 +6 | kongweilin 2026-03-26 | 8/400 |
|
|
|
[考研] 334分 一志愿武理 材料求調劑 +4 | 李李不服輸 2026-03-26 | 4/200 |
|
|
|
[考研] 總分293求調劑 +6 | 加一一九 2026-03-25 | 8/400 |
|
|
|
[考研] 277分求調劑，跨調材料 +3 | 考研調劑lxh 2026-03-24 | 3/150 |
|
|
|
[考研] 一志愿國科過程所081700，274求調劑 +3 | 三水研0水立方 2026-03-23 | 3/150 |
|