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墨硯齋木蟲 (初入文壇)
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[求助]
SOL-GEL方法制BST薄膜相關(guān)問題 已有2人參與
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| 使用溶膠凝膠法制備BST薄膜，在硅片上覆膜時(shí)，質(zhì)量已經(jīng)可以很好，一般110-120℃/10s干燥，300℃/5min預(yù)晶化，650℃/10min晶化。但是，為了測量薄膜電學(xué)性能，在硅片上覆了一層金作為電極，相同工藝下，薄膜的質(zhì)量簡直變成慘不忍睹……求助各位大神，什么原因��？是薄膜會(huì)對(duì)溫度上升速度敏感性很高嗎？ |
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caoxiafei
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首先，關(guān)注的是沉底與薄膜材料膨脹系數(shù)的問題，如果膨脹系數(shù)差別較大，是薄膜開裂的主要原因時(shí)，加緩沖層可降低膨脹應(yīng)力對(duì)薄膜的影響。 其次，漏電通道的截止，有時(shí)候由于薄膜晶�？偸强v向生長的，形成縱向的晶界；電極材料，如Au，可沿著境界導(dǎo)通襯底；加致密的緩沖層，可以有效的阻擋這種晶界金屬絲導(dǎo)通導(dǎo)致的漏電。 再次，加緩沖層，可增大薄膜的晶粒，提高薄膜的結(jié)晶質(zhì)量；因?yàn)榫彌_層材料具有與薄膜材料相同的晶格結(jié)構(gòu)，這樣就為后續(xù)的薄膜生長提供了外延生長條件，降低晶粒的生長的活化能，提高薄膜材料的結(jié)晶度。 最后，緩沖層材料有利于薄膜的摻雜，有時(shí)候由于摻雜源以溶質(zhì)的形式摻入溶膠中，會(huì)嚴(yán)重影響溶膠的穩(wěn)定性和均勻性，預(yù)先在緩沖層材料中引入摻雜源，通過高溫?cái)U(kuò)散的情況，可以實(shí)現(xiàn)薄膜材料的均勻摻雜。 當(dāng)然緩沖層的功能還有很多，我這里之列了其中4種。 另外，在低溫條件下濺射法制備的Au或Pt薄膜沉底，可能會(huì)有較小的晶粒或較大應(yīng)力，在退火過程中，晶粒會(huì)再結(jié)晶長大，薄膜的應(yīng)力也會(huì)釋放，如果這時(shí)再做其他薄膜的話，肯定會(huì)性能產(chǎn)能較大影響的。 |
9樓2014-11-04 20:06:52
墨硯齋
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2樓2014-10-14 09:53:45
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3樓2014-10-14 21:37:28
caoxiafei
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4樓2014-10-17 15:17:09
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