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墨硯齋木蟲 (初入文壇)
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[求助]
SOL-GEL方法制BST薄膜相關(guān)問題 已有2人參與
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| 使用溶膠凝膠法制備BST薄膜,在硅片上覆膜時,質(zhì)量已經(jīng)可以很好,一般110-120℃/10s干燥,300℃/5min預(yù)晶化,650℃/10min晶化。但是,為了測量薄膜電學(xué)性能,在硅片上覆了一層金作為電極,相同工藝下,薄膜的質(zhì)量簡直變成慘不忍睹……求助各位大神,什么原因?是薄膜會對溫度上升速度敏感性很高嗎? |
木蟲 (初入文壇)
木蟲之王 (文學(xué)泰斗)
peterflyer
專家顧問 (著名寫手)
研發(fā)工程師-Topcon/HJT電池
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鐵桿木蟲 (知名作家)
木蟲 (初入文壇)
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首先,關(guān)注的是沉底與薄膜材料膨脹系數(shù)的問題,如果膨脹系數(shù)差別較大,是薄膜開裂的主要原因時,加緩沖層可降低膨脹應(yīng)力對薄膜的影響。 其次,漏電通道的截止,有時候由于薄膜晶?偸强v向生長的,形成縱向的晶界;電極材料,如Au,可沿著境界導(dǎo)通襯底;加致密的緩沖層,可以有效的阻擋這種晶界金屬絲導(dǎo)通導(dǎo)致的漏電。 再次,加緩沖層,可增大薄膜的晶粒,提高薄膜的結(jié)晶質(zhì)量;因?yàn)榫彌_層材料具有與薄膜材料相同的晶格結(jié)構(gòu),這樣就為后續(xù)的薄膜生長提供了外延生長條件,降低晶粒的生長的活化能,提高薄膜材料的結(jié)晶度。 最后,緩沖層材料有利于薄膜的摻雜,有時候由于摻雜源以溶質(zhì)的形式摻入溶膠中,會嚴(yán)重影響溶膠的穩(wěn)定性和均勻性,預(yù)先在緩沖層材料中引入摻雜源,通過高溫擴(kuò)散的情況,可以實(shí)現(xiàn)薄膜材料的均勻摻雜。 當(dāng)然緩沖層的功能還有很多,我這里之列了其中4種。 另外,在低溫條件下濺射法制備的Au或Pt薄膜沉底,可能會有較小的晶粒或較大應(yīng)力,在退火過程中,晶粒會再結(jié)晶長大,薄膜的應(yīng)力也會釋放,如果這時再做其他薄膜的話,肯定會性能產(chǎn)能較大影響的。 |
木蟲 (初入文壇)
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