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碳納米管薄膜的電熱鹵化反應(yīng)
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Electrothermal halogenation of carbon nanotube films 摘要：We report an innovative approach to halogenation of carbon nanotube (CNT) films.Application of bias voltage across horizontally aligned CNT films resulted in the electrothermal effect, which enabled us to chemically modify CNT films at the entirely controlled range of temperatures up to 300 ℃. Such heated CNT membranes were exposed to gaseous halogens (Cl2,Br2,I2) whilst their electrical properties were monitored. The experiments were carried out at room temperature and 100–300℃(in 50℃ steps) until no further change, in electrical resistance could be seen. The procedure lasted less than one minute, during which we were able to successfully introduce up to 6.7%, 6.0% and 1.5% at. of Cl, Br and I into the CNT framework. In parallel, we observed a permanent increase in conductivity of the films and mild purification of the starting material due to the removal of various carbon–oxygen functional groups. 中文翻譯摘要：報(bào)道了一種新的方法鹵化碳納米管（CNT）薄膜。偏壓穿過CNT薄膜的應(yīng)用導(dǎo)致電熱反應(yīng)，使得我們能夠用化學(xué)的方法改性碳納米管薄膜在完全可控的溫度范圍直到300℃。這種加熱的CNT薄膜與鹵素氣體（Cl2，Br2，I2）接觸，同時(shí)檢測它們的電學(xué)性能。實(shí)驗(yàn)在室溫和100-300℃下進(jìn)行直至觀察不到電阻的變化。這個(gè)過程持續(xù)不到一分鐘，在這個(gè)過程中我們可以順利的引入6.7%，6.0%和1.5%的Cl，Br和I到CNT結(jié)構(gòu)中。同時(shí)，觀察到薄膜導(dǎo)電參數(shù)的提高以及起始原料的略微純化因?yàn)槎喾N碳-氧功能基的除去。 想獲得更多資源可點(diǎn)擊鏈接http://www.tjdrfk.com/news 3.jpg 1.jpg 2.jpg |
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2014-10-27 14:18:24, 2.55 M
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