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關(guān)于Ag納米片的晶面問(wèn)題 已有2人參與
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| 我合成了一個(gè)Ag納米片復(fù)合材料,基底是MnO2納米棒,結(jié)果HRTEM顯示Ag納米片的底面的晶面間距是0.2nm,對(duì)應(yīng)的是Ag的{100}晶面?墒俏墨I(xiàn)里面都說(shuō)用PVP作為表面活性劑時(shí),得到Ag的納米片的主晶面是{111},因?yàn)镻VP會(huì)優(yōu)先吸附在{100}晶面上,從而抑制{100}晶面的生長(zhǎng)。這到底是為什么啊?我應(yīng)該沒(méi)有量錯(cuò),確實(shí)是0.2nm。求高手幫幫我,感激不盡。。! |
至尊木蟲 (著名寫手)
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1.高分辨測(cè)試中 過(guò)分依賴電磁場(chǎng)調(diào)焦做出來(lái)的圖片 標(biāo)尺會(huì)有偏差 體現(xiàn)到d上就可能不夠準(zhǔn) 需要衍射輔助判定 2.納米片 中間一個(gè)堆錯(cuò)的缺陷 面上是111沒(méi)錯(cuò) 邊緣處是111還是110記不清了 這個(gè)可以查到大量文獻(xiàn) 3.片的形成主要是動(dòng)力學(xué)控制的結(jié)果 4.pvp的capping作用 xia younan老師的文章很多 建議看看 |
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