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kevin123581金蟲 (正式寫手)
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[交流]
200nm厚度薄膜的深度剖析
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對于200nm (400nm/ 800nm)左右的薄膜做深度剖析什么設(shè)備比較合適呢? 我想要測量的其實主要是物質(zhì)在深度方向的含量比。 比如C和Si. 我用過cold SEM+EDS,但是對于200nm的薄膜,圖像移動比較厲害,測量完全不準(zhǔn)確; tof-sims可做深度分析,但是貌似含量比也不好弄。 更復(fù)雜一點(diǎn)的是,我薄膜由Si單質(zhì)和SiO2組成,外加其他一些雜質(zhì),可有有辦法區(qū)分Si和SiO2的含量比呢? 謝謝大家 |
木蟲 (著名寫手)
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