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氣體在晶體表面吸附時,超胞、覆蓋度、弛豫層數(shù)、切片層數(shù)如何選定? 已有1人參與
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各位前輩好,小弟剛接觸CASTEP不久,在模擬氣體在晶體表面吸附時,對覆蓋度、弛豫層數(shù)以及切片包含的原子層數(shù)該怎么確定? (1)有些文獻中,弛豫層數(shù)只有表面一層,但有些文獻中卻是只有切面的底層固定,確定的規(guī)則是什么呢?求賜教 (2)此外,多大的覆蓋度為適宜呢?如果表面有40個原子,而我的覆蓋度想確定為1/8,究竟選哪些位置合適呢?橋位、頂位、穴位是否都可以選擇?還是每次計算只能選一種? (3)在計算時候,為了節(jié)省時間,能否應(yīng)用對稱性呢?在應(yīng)用對稱性計算時,吸附的氣體個數(shù)增加,且出現(xiàn)在了超胞的棱上,最后在計算吸附能的時候吸附的分子該算1/4還是算1個呢? (4)還有,超胞對計算有影響嗎?如何選定超胞大? 問題比較幼稚,懇請前輩們不吝賜教,小弟先叩謝各位了! |
鐵桿木蟲 (著名寫手)
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1 取決于表面特性,有的表面確實只有一層會弛豫,為了減少計算量可以只弛豫一層。 2 取決于你要研究的覆蓋度,位置需要測 3 邊界上的個數(shù)應(yīng)該除以2,角上除以4 4 超胞是否有影響取決于體系 總而言之樓主你問的問題和體系關(guān)系很大,建議多讀文獻和表面物理課本來了解 [ 發(fā)自手機版 http://www.gaoyang168.com/3g ] |
鐵桿木蟲 (著名寫手)
鐵桿木蟲 (著名寫手)
木蟲 (正式寫手)
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