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氣體在晶體表面吸附時,超胞、覆蓋度、弛豫層數(shù)、切片層數(shù)如何選定? 已有1人參與
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各位前輩好,小弟剛接觸CASTEP不久,在模擬氣體在晶體表面吸附時,對覆蓋度、弛豫層數(shù)以及切片包含的原子層數(shù)該怎么確定? (1)有些文獻中,弛豫層數(shù)只有表面一層,但有些文獻中卻是只有切面的底層固定,確定的規(guī)則是什么呢?求賜教 (2)此外,多大的覆蓋度為適宜呢?如果表面有40個原子,而我的覆蓋度想確定為1/8,究竟選哪些位置合適呢?橋位、頂位、穴位是否都可以選擇?還是每次計算只能選一種? (3)在計算時候,為了節(jié)省時間,能否應用對稱性呢?在應用對稱性計算時,吸附的氣體個數(shù)增加,且出現(xiàn)在了超胞的棱上,最后在計算吸附能的時候吸附的分子該算1/4還是算1個呢? (4)還有,超胞對計算有影響嗎?如何選定超胞大。 問題比較幼稚,懇請前輩們不吝賜教,小弟先叩謝各位了! |
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