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[求助]
能否用高斯計算材料SiC表面吸附硫酸根離子后的紅外光譜
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請教高手: 我在實驗中采用做硫酸根離子吸附實驗,采用紅外光譜檢測,出現(xiàn)了新的紅外峰,可能有弱Si-O鍵的存在,能否用高斯計算來證明這一點? 如何證明?我的初步想法是:構(gòu)建SiC材料吸附硫酸根離子的模型,采用高斯對其結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化,然后算頻率,得到紅外吸收光譜,不知是否可行? |

木蟲 (著名寫手)
科學(xué)社會主義人道救援幸福組織

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