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[求助]
GaN上電極的低溫制作
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新人求問(wèn),一般GaN上通過(guò)磁控濺射鍍金屬,再800度以上退火形成歐姆接觸,但由于我的樣品結(jié)構(gòu)里含有InN,因此承受不了那樣的高溫,求別的制作電極的方法。樣品用MBE生長(zhǎng),結(jié)構(gòu)如下: 20nm GaN/ 1ML InN/ 100nm GaN/ GaN template 表面就是20nm的GaN,求問(wèn)如何在其上制作歐姆接觸的電極。 |
新蟲 (初入文壇)
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