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seawindzjr新蟲 (初入文壇)
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[交流]
求助,High-K和Low-K的工藝問題
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各位大神好,我正在準(zhǔn)備一個關(guān)于High-K材料的presentation,但是能找到的都是些比較舊的材料比如BaTiO3之類 比較新的材料像HfO2,TiO2只有很多的特性研究,缺陷研究,以及應(yīng)用研究,卻找不到如何制備的資料,這里http://www.chinesevacuum.com/seconds/xuehui/content.asp?id=133,雖然然TiO2膜的多種制備方法,但是沒有給出優(yōu)缺點,更沒有提到工業(yè)目前使用的主要是那些方法 請問各位大神知道High-K和Low-K最新的制作工藝主要是用什么工藝么?PVE?ECD?我看last Gate工藝流程的提到的離子注入用的具體又是什么方法?為什么由于離子注入,first Gate工藝流程中的Gate contact會受到加熱,從而影響性能?另外我記得好像一兩年前High-K和Low-K還是不能做到一個芯片里的,雖然把他們一起運(yùn)用理論上會得到更好的性能,但是我想不起當(dāng)時看到的說的究竟是什么原因?qū)е滤麄儾荒茏龅揭黄鹆,有大神知道么?另外這它們現(xiàn)在可以做到一起了么?能的話是因為有什么工藝上的突破么? 另外intel的網(wǎng)頁我也去看了,他們有提他們的High-K已經(jīng)能做到DK值多少,但是一字不提制備 求大神推薦一些有介紹最新High-K材料制備的網(wǎng)站或者論文,或者公司或者研究所也可以,我試著發(fā)郵件過去咨詢 萬分感謝,實在不想拿些古董級資料做presentation,希望能找到盡量新的資訊 [ Last edited by seawindzjr on 2015-7-6 at 20:13 ] |
找到一些相關(guān)的精華帖子,希望有用哦~
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