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五百姐姐銅蟲 (初入文壇)
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[求助]
關(guān)于GaN外延片上ITO層的沉積問題 已有1人參與
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原來ITO層是用電子束蒸發(fā)做的,最近試著改用濺射沉積ITO層。 結(jié)果做出來的ITO層電阻變小,透過率也升高了,但是,芯片的Vf卻上升了,甚至還有部分樣品上升很大。 整個(gè)前工藝段除了沉積方式不同其他都一樣,ITO厚度也一樣。 希望有經(jīng)驗(yàn)的大神能指點(diǎn)下,可能是哪方面的問題?不甚感激! |
金蟲 (正式寫手)

銅蟲 (初入文壇)
金蟲 (正式寫手)

銅蟲 (初入文壇)
金蟲 (正式寫手)
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退火是最簡單有效的方法,只是條件需要自己摸索。此外常用的還有一種方法不需要加熱,即表面摻雜(尤其針對高阻材料)。電阻高(載流子低)的情況下歐姆接觸很困難,往往形成表面勢壘。表面摻雜可提高表面載流子濃度,形成隧道電流以改善歐姆接觸。例如我以前做的ZnO,在表面長一層很薄的Al摻雜ZnO(AZO),可以輕松與任何金屬得到良好的歐姆接觸,否則只能退火。對于你做的GaN芯片,表面有很多種方式引入載流子,具體看實(shí)驗(yàn)條件吧。 |

銅蟲 (初入文壇)
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