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五百姐姐銅蟲 (初入文壇)
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[求助]
關(guān)于GaN外延片上ITO層的沉積問題 已有1人參與
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原來ITO層是用電子束蒸發(fā)做的,最近試著改用濺射沉積ITO層。 結(jié)果做出來的ITO層電阻變小,透過率也升高了,但是,芯片的Vf卻上升了,甚至還有部分樣品上升很大。 整個前工藝段除了沉積方式不同其他都一樣,ITO厚度也一樣。 希望有經(jīng)驗的大神能指點下,可能是哪方面的問題?不甚感激! |
金蟲 (正式寫手)

銅蟲 (初入文壇)
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銅蟲 (初入文壇)
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[有機交流]
高溫高壓反應(yīng)求助
10+4
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chibby 2026-03-25 | 4/200 |
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