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殘缺2012新蟲 (初入文壇)
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[求助]
等離子體增強(qiáng)原子層沉積（PEALD）制備TiO2薄膜 已有1人參與
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用等離子體增強(qiáng)原子層沉積（PEALD）制備TiO2薄膜，主要是想在低溫下（100℃）能將其成功沉積，前驅(qū)體源為四異丙醇鈦（TTIP）和O2等離子體，基底是單面拋光的P型硅片，載氣為Ar，具體參數(shù)如下，請蟲友們幫我分析下那個參數(shù)不合理導(dǎo)致實(shí)驗(yàn)老失敗 Heater： 100℃ Purge： 120℃ Pumpline： 150℃ TTIP源瓶加熱溫度：65℃ Chamber： 100℃ 反應(yīng)工藝壓力：0.15 torr 根據(jù)0.15torr的反應(yīng)壓力，設(shè)置載氣流量，有三個Ar的管道，流量分別為30，20,16 sccm O2等離子體的流量20 sccm Plasma的功率：150W 配方： Dose—Reaction--Purge—Plasma—Purge—Goto—End 1s 2s 100s 15s 40s 500次 以前在TALD上做過TiO2，沉積溫度是200℃，現(xiàn)在主要研究低溫沉積，所以用了PEALD-100A設(shè)備，我覺得影響因素較大的應(yīng)該是配方中的Dose時間，我試過0.5s，1s和2s，都沒有用，請各位大神們指點(diǎn)一二~。~ PEALD界面圖 |
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2樓2015-08-20 16:49:45
3樓2015-09-17 16:38:33
dearmaximus
金蟲 (正式寫手)
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4樓2015-12-01 16:07:05
飛兒271
新蟲 (小有名氣)
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5樓2017-02-20 14:30:06
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