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用vasp優(yōu)化晶胞的幾點疑問
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在說我的問題前，我先講講我是怎么優(yōu)化晶胞的：首先我的incar和kpoints中參數(shù)設(shè)置是來自于文獻(xiàn)的，所以我從一開始就設(shè)置了文獻(xiàn)給出的k點，而沒有一步步提高k點。而ENCUT的值同一個體系，有的作者用的是600eV，有的用的是800eV，不知道用哪個好？我的優(yōu)化步驟是按源資培訓(xùn)里面介紹的來做的，i：優(yōu)化晶胞參數(shù) ISIF=3，固定原子位置（即在POSCAR文件中原子坐標(biāo)后加F） ii：原子弛豫 ISIF=2 ，不固定原子位置（默認(rèn)是不加F的，即T） iii：用vasp算一般結(jié)構(gòu)都是對稱性降為P1，最后算完將CONTCAR用ms打開，通過find sysmery--impose sysmetry恢復(fù)對稱性 以下是我的問題： ①我的這個優(yōu)化過程可行嗎 ②第一步的時候我不確定到什么時候停止，就把contcar變?yōu)閜oscar重復(fù)第一步的計算，最近有一個我重復(fù)了20次，最后晶胞參數(shù)和總能量都不再變化了，然后我就進(jìn)行原子弛豫，發(fā)現(xiàn)晶胞參數(shù)和總能量還是不變，我就不知道我這樣做對不對，感覺重復(fù)太多次了。應(yīng)該有一個什么標(biāo)準(zhǔn)來停止晶胞參數(shù)的優(yōu)化這一步呢？我知道的就是看最護(hù)兩步的總能量和晶胞參數(shù)基本一樣，但有沒有一個什么標(biāo)準(zhǔn)呢？跟incar中設(shè)置的EDIFF和EDIFFG有關(guān)嗎? ③excel中我會列入external pressure是看到文獻(xiàn)的一句話 （見圖） ，不知是不是指的是最后優(yōu)化總壓力小于+-0.5KB,這個需不需要考慮到優(yōu)化是否收斂中來？ ④關(guān)于poscar也就是建模的問題，文獻(xiàn)中有兩種數(shù)據(jù)，一種是實驗測得的晶胞參數(shù)和原子坐標(biāo)，一種是別人理論計算優(yōu)化好的晶胞參數(shù)和原子坐標(biāo)，使用哪種數(shù)據(jù)建模更合適呢？ DN}RHRJ@JIY6)14~{[AFJUF.png RKRX]Q1Q2F`%IC}0{H{@`NB.png |
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