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[交流]
用vasp優(yōu)化晶胞的幾點疑問
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在說我的問題前,我先講講我是怎么優(yōu)化晶胞的:首先我的incar和kpoints中參數(shù)設(shè)置是來自于文獻(xiàn)的,所以我從一開始就設(shè)置了文獻(xiàn)給出的k點,而沒有一步步提高k點。而ENCUT的值同一個體系,有的作者用的是600eV,有的用的是800eV,不知道用哪個好? "那肯定是800eV好!但是這東西要測試,如果600達(dá)到你的精度要求了,就沒必要800了……" 我的優(yōu)化步驟是按源資培訓(xùn)里面介紹的來做的,i:優(yōu)化晶胞參數(shù) ISIF=3,固定原子位置(即在POSCAR文件中原子坐標(biāo)后加F) ii:原子弛豫 ISIF=2 ,不固定原子位置(默認(rèn)是不加F的,即T) iii:用vasp算一般結(jié)構(gòu)都是對稱性降為P1,最后算完將CONTCAR用ms打開,通過find sysmery--impose sysmetry恢復(fù)對稱性 以下是我的問題: ①我的這個優(yōu)化過程可行嗎②第一步的時候我不確定到什么時候停止,就把contcar變?yōu)閜oscar重復(fù)第一步的計算,最近有一個我重復(fù)了20次,最后晶胞參數(shù)和總能量都不再變化了,然后我就進(jìn)行原子弛豫,發(fā)現(xiàn)晶胞參數(shù)和總能量還是不變,我就不知道我這樣做對不對,感覺重復(fù)太多次了。應(yīng)該有一個什么標(biāo)準(zhǔn)來停止晶胞參數(shù)的優(yōu)化這一步呢?我知道的就是看最護(hù)兩步的總能量和晶胞參數(shù)基本一樣,但有沒有一個什么標(biāo)準(zhǔn)呢?跟incar中設(shè)置的EDIFF和EDIFFG有關(guān)嗎? “姐,你這步驟真詳細(xì),但是我想,沒有哪個方法,是通用的方法,對于不同的體系,是有不同的方法的,當(dāng)然,你這個步驟,應(yīng)該沒有問題,但是真麻煩” ③excel中我會列入external pressure是看到文獻(xiàn)的一句話 (見圖) ,不知是不是指的是最后優(yōu)化總壓力小于+-0.5KB,這個需不需要考慮到優(yōu)化是否收斂中來? “這個不懂……我都是利用EDIFFG控制” ④關(guān)于poscar也就是建模的問題,文獻(xiàn)中有兩種數(shù)據(jù),一種是實驗測得的晶胞參數(shù)和原子坐標(biāo),一種是別人理論計算優(yōu)化好的晶胞參數(shù)和原子坐標(biāo),使用哪種數(shù)據(jù)建模更合適呢? “如果你沒有文獻(xiàn)參考,當(dāng)然是用實驗的了。但是有文獻(xiàn)參考,如果方法和你一樣,那當(dāng)然是用文獻(xiàn)的了,但是前提是,文獻(xiàn)一定要可靠,比如PRB一類的,或者是知名學(xué)者的文獻(xiàn)” 以上個人愚見,僅供參考 |

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