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請(qǐng)教slab模型的測(cè)試等問題 已有2人參與
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學(xué)生用的是ms建表面模型,vasp計(jì)算,在此請(qǐng)教各路大神slab模型的測(cè)試等問題: ①測(cè)試表面slab模型的真空層厚度,slab厚度和弛豫的原子層厚度的時(shí)候需要進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化嗎,還是直接靜態(tài)計(jì)算,測(cè)試好后再優(yōu)化?如果需要優(yōu)化那計(jì)算量相當(dāng)龐大,如果不優(yōu)化也就是不進(jìn)行弛豫那就測(cè)不出要弛豫多少層原子?然后測(cè)試時(shí)關(guān)注的是表面能和層間距?看了很多貼還是很暈頭,具體這些測(cè)試是怎么個(gè)測(cè)法,還請(qǐng)有經(jīng)驗(yàn)的大神們?cè)敿?xì)告知。拜謝了! ![]() ②建構(gòu)的slab模型需要嚴(yán)格按照化學(xué)計(jì)量比嗎?是否需要先保證化學(xué)計(jì)量比之后才考慮對(duì)稱性和極性的問題?然后是否在測(cè)試slab厚度也需要保證選取的厚度都符合化學(xué)計(jì)量比? ③極性面是不是在真實(shí)情況下不能穩(wěn)定存在,所以需要通過表面重構(gòu)來使表面穩(wěn)定,才能算出表面能?對(duì)應(yīng)到計(jì)算中就沒法得到一個(gè)收斂的表面能,所以需要進(jìn)行偶極矩矯正才能得到穩(wěn)定的表面能,那么這個(gè)偶極矩矯正和表面重構(gòu)是同一個(gè)性質(zhì)的東西,還是偶極矩矯正后還需要進(jìn)行重構(gòu)?重構(gòu)是通過什么方式來實(shí)現(xiàn)的? ④MS中在選擇終端原子時(shí)很難在top那一步就設(shè)置到想要的,但如果先把slab厚度設(shè)置足夠大,再手動(dòng)刪除會(huì)方便很多,但刪減后的slab厚度就不知道怎么看了? 真空層需要調(diào)整的話可以通過rebuild crystal中的晶胞參數(shù)來設(shè)置,這樣應(yīng)該不會(huì)改變盒子中原子的相對(duì)位置吧? 還有ms中可以只移動(dòng)盒子的位置,不移動(dòng)盒子中原子的位置,也就是我想調(diào)整一下盒子和胞中原子的相對(duì)位置,有這功能嗎? 感激不盡 |
vasp 第一性原理 |
木蟲 (小有名氣)
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1. 固定多少層,弛豫多少層建議看已發(fā)表文獻(xiàn)。自己測(cè)試的話,看層間距。不建議自己測(cè)試,費(fèi)時(shí)間。 2. 真空層我一般用14埃。一般來說16埃都足夠了。。。 3. 非對(duì)稱的slab表面能比較難處理,一般來說要切得使兩個(gè)端面一致,然后再算表面能除以二就可以了。 4. 其它的問題繞的沒看明白。。。 |

木蟲 (小有名氣)
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1.首先收斂性測(cè)試包括很多,可以測(cè)試真空厚度,也可以測(cè)試slab應(yīng)該多厚夠用,還可以測(cè)試slab中要固定多少層,這些都是各自獨(dú)立的測(cè)試。比如測(cè)真空厚度時(shí)候,只改變真空厚度,不弛豫,看總能量隨真空的改變;測(cè)固定多少層時(shí),不改變真空厚度,只改變固定的層數(shù),做結(jié)構(gòu)弛豫計(jì)算,看層間距和化學(xué)鍵長(zhǎng)度。不同的收斂性測(cè)試不要混在一起,要控制變量 2.構(gòu)建表面的化學(xué)計(jì)量比,比如構(gòu)建TiO2,一般希望構(gòu)建的slab里Ti和O是1:2,這樣有兩個(gè)好處,一是Ti和O直接電子轉(zhuǎn)移情況和bulk TiO2類似,能形成close shell電子結(jié)構(gòu),體系比較穩(wěn)定,二是算表面能的時(shí)候比較方便,直接把總能減去N個(gè)TiO2的能量再除以二就好了。但有的表面比較特殊,就是比例和bulk的不同,這也是沒辦法的,這種情況表面能的定義需要引入化學(xué)勢(shì)的概念 3.表面重構(gòu)和dipole修正。首先,把上表面的原子移到下表面不算表面重構(gòu),這種移動(dòng)只是構(gòu)建一個(gè)合理表面所必須做的步驟。Dipole修正也不是表面重構(gòu),有些表面確實(shí)帶有極性,這時(shí)候需要dipole correction來修正total energy和electrical potential,大部分的模擬軟件也都有這個(gè)功能。所謂表面重構(gòu)是指表面的結(jié)構(gòu)和直接從bulk structure切出來的不一樣,可能會(huì)在表面添加原子,從而降低surface energy和surface stress,讓表面更穩(wěn)定。 4. 把top和thickness兩個(gè)參數(shù)一起調(diào)整,同時(shí)監(jiān)控property窗口里每種原子的個(gè)數(shù),來構(gòu)建合適的slab,也要盡量讓表面的原子的dangling bonds數(shù)量盡可能少一點(diǎn)。 至于移動(dòng)盒子問題,是通過同時(shí)選中所有原子,讓這所有原子一起移到來實(shí)現(xiàn)的 |
木蟲 (小有名氣)
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你知道vasp是以周期性結(jié)構(gòu)為單位做計(jì)算的。因此所謂的slab也是一個(gè)超大的胞帶著一個(gè)真空層罷了。如果此時(shí)slab不對(duì)稱,那么上下表面之間就會(huì)有電場(chǎng)。而靜電力本身又是一種長(zhǎng)程作用力,很大的真空層也很難衰減掉。因此在vasp中通過軟件引入一個(gè)偶極子去抵消這個(gè)實(shí)際不存在的靜電勢(shì)就可以了。 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |

木蟲 (小有名氣)
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當(dāng)然要優(yōu)化,看層間距。 表面穩(wěn)不穩(wěn)定看表面形成能唄。 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |

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表面能小于多少就算是穩(wěn)定的,有參考值嗎? 還有偶極矩矯正和表面重構(gòu)是一回事嗎?我看文章有的提到把上表面的某些原子移動(dòng)到下表面來使上下表面電荷相等來矯正偶極矩,這樣子算是一種重構(gòu)嗎,看文章的意思不算是重構(gòu)。 vasp中偶極矩矯正可以通過設(shè)置參數(shù)來實(shí)現(xiàn),如上面所說的,文章中把上表面的某些原子移動(dòng)到下表面來使上下表面電荷相等來矯正偶極矩,所以我不太明白這個(gè)矯正偶極矩是通過設(shè)置LDIPOL= .TRUE. ;IDIPOL = 3 ,和通過手動(dòng)分配上下表面的某些原子,這兩種方法都可以,還是既要設(shè)置參數(shù),同時(shí)要重新分配原子? |
木蟲 (小有名氣)
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表面能當(dāng)然越負(fù)越穩(wěn)定了。偶極矯正是為了在上下面不對(duì)稱的時(shí)候,抵消不對(duì)稱帶來的電場(chǎng),從而得到更準(zhǔn)確的結(jié)果。如果上下面是對(duì)稱的,當(dāng)然不要偶極矯正了。 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |

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