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請(qǐng)教slab模型的測(cè)試等問(wèn)題 已有2人參與
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學(xué)生用的是ms建表面模型,vasp計(jì)算,在此請(qǐng)教各路大神slab模型的測(cè)試等問(wèn)題: ①測(cè)試表面slab模型的真空層厚度,slab厚度和弛豫的原子層厚度的時(shí)候需要進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化嗎,還是直接靜態(tài)計(jì)算,測(cè)試好后再優(yōu)化?如果需要優(yōu)化那計(jì)算量相當(dāng)龐大,如果不優(yōu)化也就是不進(jìn)行弛豫那就測(cè)不出要弛豫多少層原子?然后測(cè)試時(shí)關(guān)注的是表面能和層間距?看了很多貼還是很暈頭,具體這些測(cè)試是怎么個(gè)測(cè)法,還請(qǐng)有經(jīng)驗(yàn)的大神們?cè)敿?xì)告知。拜謝了! ![]() ②建構(gòu)的slab模型需要嚴(yán)格按照化學(xué)計(jì)量比嗎?是否需要先保證化學(xué)計(jì)量比之后才考慮對(duì)稱性和極性的問(wèn)題?然后是否在測(cè)試slab厚度也需要保證選取的厚度都符合化學(xué)計(jì)量比? ③極性面是不是在真實(shí)情況下不能穩(wěn)定存在,所以需要通過(guò)表面重構(gòu)來(lái)使表面穩(wěn)定,才能算出表面能?對(duì)應(yīng)到計(jì)算中就沒(méi)法得到一個(gè)收斂的表面能,所以需要進(jìn)行偶極矩矯正才能得到穩(wěn)定的表面能,那么這個(gè)偶極矩矯正和表面重構(gòu)是同一個(gè)性質(zhì)的東西,還是偶極矩矯正后還需要進(jìn)行重構(gòu)?重構(gòu)是通過(guò)什么方式來(lái)實(shí)現(xiàn)的? ④MS中在選擇終端原子時(shí)很難在top那一步就設(shè)置到想要的,但如果先把slab厚度設(shè)置足夠大,再手動(dòng)刪除會(huì)方便很多,但刪減后的slab厚度就不知道怎么看了? 真空層需要調(diào)整的話可以通過(guò)rebuild crystal中的晶胞參數(shù)來(lái)設(shè)置,這樣應(yīng)該不會(huì)改變盒子中原子的相對(duì)位置吧? 還有ms中可以只移動(dòng)盒子的位置,不移動(dòng)盒子中原子的位置,也就是我想調(diào)整一下盒子和胞中原子的相對(duì)位置,有這功能嗎? 感激不盡 |
vasp 第一性原理 |
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表面能小于多少就算是穩(wěn)定的,有參考值嗎? 還有偶極矩矯正和表面重構(gòu)是一回事嗎?我看文章有的提到把上表面的某些原子移動(dòng)到下表面來(lái)使上下表面電荷相等來(lái)矯正偶極矩,這樣子算是一種重構(gòu)嗎,看文章的意思不算是重構(gòu)。 vasp中偶極矩矯正可以通過(guò)設(shè)置參數(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn),如上面所說(shuō)的,文章中把上表面的某些原子移動(dòng)到下表面來(lái)使上下表面電荷相等來(lái)矯正偶極矩,所以我不太明白這個(gè)矯正偶極矩是通過(guò)設(shè)置LDIPOL= .TRUE. ;IDIPOL = 3 ,和通過(guò)手動(dòng)分配上下表面的某些原子,這兩種方法都可以,還是既要設(shè)置參數(shù),同時(shí)要重新分配原子? |
木蟲 (小有名氣)
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1. 固定多少層,弛豫多少層建議看已發(fā)表文獻(xiàn)。自己測(cè)試的話,看層間距。不建議自己測(cè)試,費(fèi)時(shí)間。 2. 真空層我一般用14埃。一般來(lái)說(shuō)16埃都足夠了。。。 3. 非對(duì)稱的slab表面能比較難處理,一般來(lái)說(shuō)要切得使兩個(gè)端面一致,然后再算表面能除以二就可以了。 4. 其它的問(wèn)題繞的沒(méi)看明白。。。 |

木蟲 (小有名氣)
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當(dāng)然要優(yōu)化,看層間距。 表面穩(wěn)不穩(wěn)定看表面形成能唄。 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |

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