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[求助]
關(guān)于MS建薄膜模型求教。 已有1人參與
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關(guān)于用MS建立一個(gè)薄膜,我有一些疑問不懂,望共同交流。 第一,我需要切一個(gè)面出來,指定晶面指數(shù)即可,但是要切面積應(yīng)該控制多大呢?換句話說我需要從一個(gè)單胞上切還是從超胞上切。 第二,我切的面應(yīng)該是什么面呢?如果沒有對(duì)照的實(shí)驗(yàn)文獻(xiàn),是不是隨機(jī)的切一個(gè)面 第三,建模為了避免外界的影響,一般要掛氫鍵或者加真空層,如何測(cè)試所加真空層的厚度呢? 第四,二維材料和薄膜到底什么區(qū)別,經(jīng)常看有文獻(xiàn)說2D-material. 謝謝! |

木蟲 (小有名氣)
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Slab本質(zhì)上是一個(gè)薄膜,上下各有一個(gè)表面,我們把它近似看作一個(gè)表面。上下確實(shí)都有真空。理想模型是只有上表面,下面有接近無窮層原子,作為簡化,計(jì)算時(shí)只取幾層原子,且最下面的幾層原子要固定,保持和bulk里面坐標(biāo)一樣,此時(shí)認(rèn)為上表面感受到的下方環(huán)境接近于bulk結(jié)構(gòu) 發(fā)自小木蟲IOS客戶端 |
木蟲 (小有名氣)
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可以看下我之前回復(fù)給別人的應(yīng)助帖http://www.gaoyang168.com/bbs/viewthread.php?tid=9443129&authorid=1944534 表面大小的話和你研究的問題有關(guān),如果只是算表面能,或者看表面的結(jié)構(gòu)的話用最小的就行,如果要算表面吸附問題,表面體系defect的這種,就要表面的x和y方向都大于10angstrom 切的晶面指數(shù)要找最穩(wěn)定的面,這個(gè)可以查paper,哪個(gè)面最穩(wěn)定,表面能最低 切的厚度需要測(cè)試,方法見那個(gè)鏈接 切的位置參考paper里面人家怎么切的,原則是切出來的表面dangling bond 要少 真空厚度測(cè)試也看我那個(gè)帖子 二維材料是厚度只有一兩個(gè)原子層的,比如graphene,MoS2,電子會(huì)在一個(gè)方向上高度局域 |

新蟲 (初入文壇)
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學(xué)校已經(jīng)提交到NSFC,還能修改嗎?
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