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關(guān)于MS建薄膜模型求教。 已有1人參與
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關(guān)于用MS建立一個(gè)薄膜，我有一些疑問不懂，望共同交流。 第一，我需要切一個(gè)面出來，指定晶面指數(shù)即可，但是要切面積應(yīng)該控制多大呢？換句話說我需要從一個(gè)單胞上切還是從超胞上切。 第二，我切的面應(yīng)該是什么面呢？如果沒有對(duì)照的實(shí)驗(yàn)文獻(xiàn)，是不是隨機(jī)的切一個(gè)面 第三，建模為了避免外界的影響，一般要掛氫鍵或者加真空層，如何測(cè)試所加真空層的厚度呢？ 第四，二維材料和薄膜到底什么區(qū)別，經(jīng)�？从形墨I(xiàn)說2D-material. 謝謝！ |
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【答案】應(yīng)助回帖
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感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
zyqh: 金幣+15, ★有幫助 2015-10-04 01:17:02
感謝參與，應(yīng)助指數(shù) +1
zyqh: 金幣+15, ★有幫助 2015-10-04 01:17:02
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可以看下我之前回復(fù)給別人的應(yīng)助帖http://www.gaoyang168.com/bbs/viewthread.php?tid=9443129&authorid=1944534 表面大小的話和你研究的問題有關(guān)，如果只是算表面能，或者看表面的結(jié)構(gòu)的話用最小的就行，如果要算表面吸附問題，表面體系defect的這種，就要表面的x和y方向都大于10angstrom 切的晶面指數(shù)要找最穩(wěn)定的面，這個(gè)可以查paper，哪個(gè)面最穩(wěn)定，表面能最低 切的厚度需要測(cè)試，方法見那個(gè)鏈接 切的位置參考paper里面人家怎么切的，原則是切出來的表面dangling bond 要少 真空厚度測(cè)試也看我那個(gè)帖子 二維材料是厚度只有一兩個(gè)原子層的，比如graphene，MoS2，電子會(huì)在一個(gè)方向上高度局域 |
2樓2015-10-01 23:49:35
3樓2015-10-04 01:22:29
沖天飛龍
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Slab本質(zhì)上是一個(gè)薄膜，上下各有一個(gè)表面，我們把它近似看作一個(gè)表面。上下確實(shí)都有真空。理想模型是只有上表面，下面有接近無窮層原子，作為簡(jiǎn)化，計(jì)算時(shí)只取幾層原子，且最下面的幾層原子要固定，保持和bulk里面坐標(biāo)一樣，此時(shí)認(rèn)為上表面感受到的下方環(huán)境接近于bulk結(jié)構(gòu) 發(fā)自小木蟲IOS客戶端 |
4樓2015-10-04 04:48:21
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5樓2015-10-04 11:03:33
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你好，師兄，再打擾一下了。 請(qǐng)問我建薄膜的時(shí)候，我根據(jù)文獻(xiàn)，想研究不同厚度的薄膜對(duì)光吸收效率的影響。 當(dāng)然MS里面是能夠?qū)崿F(xiàn)建不同厚度薄膜這個(gè)功能的。但是我看網(wǎng)上很多帖子卻說，薄膜要測(cè)試一定的厚度，不同厚度穩(wěn)定性不一樣。那么是不是說建出來的薄膜非要取一定的厚度，而不能取不同的厚度？ 再者，網(wǎng)上很多帖子說建出來的薄膜表面存在極性和非極性，需要消除極性。請(qǐng)問我要研究的薄膜對(duì)光的吸收效率，如果極性和非極性對(duì)吸收效率沒影響，我是否可以不考慮消除極性？ 謝謝師兄了，望師兄不吝賜教！ |
6樓2015-11-01 18:16:27
沖天飛龍
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穩(wěn)定性是說slab要夠厚，太薄了就真成了薄膜了不能代表表面了。極性最好消除，上下兩個(gè)面差異比較大會(huì)導(dǎo)致體系帶有極性，會(huì)使得上下兩個(gè)面一個(gè)帶正電一個(gè)帶負(fù)電。這樣表面會(huì)扭曲，空間電勢(shì)也會(huì)跑偏，不太合理 發(fā)自小木蟲IOS客戶端 |
7樓2015-11-02 00:17:29
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