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[求助]
關(guān)于MS建薄膜模型求教。 已有1人參與
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關(guān)于用MS建立一個薄膜,我有一些疑問不懂,望共同交流。 第一,我需要切一個面出來,指定晶面指數(shù)即可,但是要切面積應(yīng)該控制多大呢?換句話說我需要從一個單胞上切還是從超胞上切。 第二,我切的面應(yīng)該是什么面呢?如果沒有對照的實驗文獻,是不是隨機的切一個面 第三,建模為了避免外界的影響,一般要掛氫鍵或者加真空層,如何測試所加真空層的厚度呢? 第四,二維材料和薄膜到底什么區(qū)別,經(jīng)?从形墨I說2D-material. 謝謝! |

木蟲 (小有名氣)
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穩(wěn)定性是說slab要夠厚,太薄了就真成了薄膜了不能代表表面了。極性最好消除,上下兩個面差異比較大會導(dǎo)致體系帶有極性,會使得上下兩個面一個帶正電一個帶負電。這樣表面會扭曲,空間電勢也會跑偏,不太合理 發(fā)自小木蟲IOS客戶端 |
木蟲 (小有名氣)
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可以看下我之前回復(fù)給別人的應(yīng)助帖http://www.gaoyang168.com/bbs/viewthread.php?tid=9443129&authorid=1944534 表面大小的話和你研究的問題有關(guān),如果只是算表面能,或者看表面的結(jié)構(gòu)的話用最小的就行,如果要算表面吸附問題,表面體系defect的這種,就要表面的x和y方向都大于10angstrom 切的晶面指數(shù)要找最穩(wěn)定的面,這個可以查paper,哪個面最穩(wěn)定,表面能最低 切的厚度需要測試,方法見那個鏈接 切的位置參考paper里面人家怎么切的,原則是切出來的表面dangling bond 要少 真空厚度測試也看我那個帖子 二維材料是厚度只有一兩個原子層的,比如graphene,MoS2,電子會在一個方向上高度局域 |

木蟲 (小有名氣)
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Slab本質(zhì)上是一個薄膜,上下各有一個表面,我們把它近似看作一個表面。上下確實都有真空。理想模型是只有上表面,下面有接近無窮層原子,作為簡化,計算時只取幾層原子,且最下面的幾層原子要固定,保持和bulk里面坐標一樣,此時認為上表面感受到的下方環(huán)境接近于bulk結(jié)構(gòu) 發(fā)自小木蟲IOS客戶端 |
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